- 专利标题: SiC纳米线增强铝基复合材料及其制备方法
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申请号: CN201610565775.2申请日: 2016-07-18
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公开(公告)号: CN106086726B公开(公告)日: 2017-08-25
- 发明人: 杨文澍 , 武高辉 , 姜龙涛
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 侯静
- 主分类号: C22C49/06
- IPC分类号: C22C49/06 ; C22C49/14 ; C22C47/06 ; C22C47/12 ; C22C101/14 ; C22C121/00
摘要:
SiC纳米线增强铝基复合材料及其制备方法,它涉及铝基复合材料及其制备方法。它要解决现有SiC纳米线增强铝基复合材料的制备存在工艺复杂、成本高和耗时长的问题。SiC纳米线增强铝基复合材料由SiC纳米线和铝金属制成。方法:一、称料;二、制备SiC纳米线预制体;三、制备预热的SiC纳米线预制体;熔融铝金属;四、液态铝浸渗,冷却,脱模,得到铸锭,即完成。本发明中SiC纳米线预分散和预制体成型一步法工艺,缩短了工艺流程,耗时缩短为1天,提高了复合材料的制备效率,且成本降低。本发明中低表面张力和大外部压力结合的方法,促进液态Al的浸渗。制备方法简单、易操作、易控制,所得材料具有密度低、致密度高的特点。
公开/授权文献
- CN106086726A SiC纳米线增强铝基复合材料及其制备方法 公开/授权日:2016-11-09