FinFET形成工艺和结构

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专利标题： FinFET形成工艺和结构
申请号： CN201510046970.X

申请日： 2015-01-29
公开(公告)号： CN105990233B

公开(公告)日： 2019-04-12
发明人: 温宗尧 , 杨世海 , 王圣祯
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹
代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理商 章社杲; 李伟
优先权： 14/517,553 2014.10.17 US
主分类号： H01L21/8238
IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L27/092 ; H01L29/78 ; H01L29/32

摘要：

本发明公开了FinFET以及用于形成FinFET的方法。在方法中，在衬底中形成第一沟槽。然后在第一沟槽中形成第一隔离区。在第一隔离区之间外延生长外延区。通过在所述外延区中进行蚀刻来形成第二沟槽，形成多个鳍。在第二沟槽中形成第二隔离区。一种结构，包括：衬底；位于衬底上的第一鳍；位于第一鳍上方的栅极电介质；以及位于栅极电介质上方的栅电极。第一鳍包括外延层，外延层具有小于1*104cm‑3的堆垛层错缺陷密度。

公开/授权文献

CN105990233A FinFET形成工艺和结构公开/授权日：2016-10-05

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8238	........互补场效应晶体管，例如CMOS