半导体电阻
摘要:
本发明公开了一种半导体电阻,包括:N型衬底;P型栅极,形成于所述N型衬底之上;形成于所述P型栅极两侧且位于所述N型衬底中的P型源极和P型漏极;N型掺杂区,形成于所述N型衬底内且靠近所述P型源极;金属连接线,连接于所述N型掺杂区、所述P型源极和所述P型栅极,所述N型掺杂区、所述P型源极和所述P型栅极构成所述半导体电阻的一端,所述P型漏极构成所述半导体电阻的另一端。本发明的半导体电阻,无需设置另外的功能模块给栅极施加电压以使半导体电阻起到等效电阻的作用,并且无需在源极和漏极之间另外构造P型导电沟道,简化了半导体电阻的结构及制造工艺,节约了成本。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流,放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/8605 ...带有PN结的电阻器
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