发明授权
- 专利标题: 晶片快速抛光装置及方法
-
申请号: CN201610039730.1申请日: 2016-01-21
-
公开(公告)号: CN105666312B公开(公告)日: 2017-08-01
- 发明人: 夏秋良
- 申请人: 苏州新美光纳米科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城西北区20幢1楼南
- 专利权人: 苏州新美光纳米科技有限公司
- 当前专利权人: 新美光(苏州)半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城西北区20幢1楼南
- 代理机构: 无锡市大为专利商标事务所
- 代理商 曹祖良; 张涛
- 主分类号: B24B37/08
- IPC分类号: B24B37/08 ; B24B37/28 ; B24B37/34 ; H01L21/67
摘要:
本发明涉及一种抛光装置及方法,尤其是一种晶片快速抛光装置及方法,属于半导体抛光的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述晶片快速抛光装置,包括呈对称分布的抛光大盘,在所述抛光大盘间设置至少一个用于固定晶片的游星轮,所述抛光大盘与游星轮间具有抛光垫;在抛光大盘间的至少一个游星轮内设置用于与抛光垫接触并在对晶片抛光时生热的生热膜片。本发明结构紧凑,与现有工艺相兼容,使用操作方便,能精确控制抛光温度,提高抛光的速度,适应范围广,安全可靠。
公开/授权文献
- CN105666312A 晶片快速抛光装置及方法 公开/授权日:2016-06-15