发明公开
CN104979317A 半导体器件及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method of manufacturing the same
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申请号: CN201510176791.8申请日: 2015-04-14
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公开(公告)号: CN104979317A公开(公告)日: 2015-10-14
- 发明人: 富田和朗 , 竹若博基
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 陈伟; 王娟娟
- 优先权: 2014-082804 2014.04.14 JP
- 主分类号: H01L23/488
- IPC分类号: H01L23/488 ; H01L21/60
摘要:
本发明提供一种半导体器件及其制造方法,能够提高半导体器件的可靠性。实施方式中的特征点在于:在焊盘(PD)与引出布线部(DWU)的连接部位设置有倾斜部(SLP)。由此,能够抑制在通过表面保护膜(PAS)将焊盘(PD)的一部分覆盖的覆盖区域产生裂纹。
IPC分类: