发明授权
- 专利标题： 一种半导体器件及其制造方法和电子装置
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申请号： CN201310754079.2申请日： 2013-12-31
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公开(公告)号： CN104752423B公开(公告)日： 2018-08-21
- 发明人: 汪铭 , 马千成 , 程勇 , 滕丽华
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京市磐华律师事务所
- 代理商 高伟; 赵礼杰
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06 ; H01L27/02 ; H01L29/78 ; H01L21/8249 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，包括第一掺杂类型的半导体衬底以及位于所述半导体衬底内的LDMOS晶体管和二极管，其中所述半导体衬底与位于其内的第二掺杂类型的阱区形成PN结，所述二极管与所述PN结反向串联。本发明的半导体器件，通过在LDMOS晶体管的漏极一侧形成与半导体衬底和位于其内的第二掺杂类型的阱区构成的PN结反向串联的二极管，可以避免当LDMOS晶体管应用于电感负载模式时产生流向半导体衬底的大电流，提高了半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法，用于制造上述半导体器件，制得的器件同样具有上述优点。本发明的电子装置，包括上述半导体器件，同样具有上述优点。
公开/授权文献
- CN104752423A 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 公开/授权日：2015-07-01
IPC分类:
