本发明提供一种FinFET器件及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个离子注入区；在相邻的两个所述离子注入区之间外延形成用作鳍形沟道的鳍片；在相邻的两个所述鳍片之间形成隔离结构。根据本发明，形成的所述用作鳍形沟道的鳍片的表面晶向为 ，因此，其表面粗糙度显著下降，后续在所述鳍形沟道的两侧及顶部形成高k‑金属栅极结构以后，不会影响所述金属栅极结构中的功函数金属层的功函数的变化，保证FinFET器件具有良好的性能。