本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种垂直型沟道存储器件和控制器件的集成工艺。通过本发明提供的性能的技术方案，既能有效的完成垂直沟道集成，将需引出的电极引出，采用金属再布线工艺，利用第一金属结构、第二金属结构键合、相连，刻蚀形成硅通孔并填充金属将键合后芯片电极引出，在提高器件性能和技术方案的同时减少了面积；又能使垂直型存储器件芯片和控制器件芯片独立的设计和制作，避免了相互的影响，保证其性能和成本优势，提高了均一性和产品良率。