发明授权
- 专利标题: 鳍式场效应晶体管及其形成方法
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申请号: CN201310259904.1申请日: 2013-06-26
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公开(公告)号: CN104253046B公开(公告)日: 2016-12-28
- 发明人: 三重野文健
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; H01L21/28 ; H01L29/78 ; H01L29/423
摘要:
一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,所述鳍式场效应晶体管包括:半导体衬底,所述半导体衬底上形成有分立的第一鳍部和第二鳍部;覆盖所述第一鳍部、第二鳍部和半导体衬底表面的第一掺杂层;位于半导体衬底的隔离层,所述隔离层的表面低于第一鳍部和第二鳍部顶端上的第一掺杂层表面;横跨所述第一鳍部的侧壁和顶端表面的栅极结构;位于隔离层上的介质层,所述介质层覆盖所述栅极结构和第二鳍部;位于介质层中的通孔,所述通孔暴露出第二鳍部顶端上的第一掺杂层;填充所述通孔的导电插塞,所述导电插塞用于连接偏置控制电压。通过导电插塞和第一掺杂层能方便的实现对阈值电压的调节。
公开/授权文献
- CN104253046A 鳍式场效应晶体管及其形成方法 公开/授权日:2014-12-31
IPC分类: