半导体器件结构及其制作方法

Invention Grant

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Patent Title: 半导体器件结构及其制作方法
Application No.: CN201210333470.0

Application Date: 2012-09-10
Publication No.: CN103681461B

Publication Date: 2016-06-01
Inventor: 钟汇才 , 梁擎擎 , 罗军 , 朱慧珑
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Applicant Address: 北京市朝阳区北土城西路3号
Assignee: 中国科学院微电子研究所
Current Assignee: 中国科学院微电子研究所
Current Assignee Address: 北京市朝阳区北土城西路3号
Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
Agent 倪斌
Main IPC: H01L21/768
IPC: H01L21/768 ; H01L21/8234 ; H01L27/088

Abstract:

本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。根据一示例，该方法包括：在衬底上设置有源区；在衬底上形成至少一条连续的栅极线，所述栅极线经由栅介质层与有源区相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；在所述栅极线的两侧，在有源区中形成源/漏区；形成与源/漏区电接触的接触部；在第一预定区域处，在接触部中形成沟槽，所述沟槽并未切断接触部；以及在第二预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极。

Public/Granted literature

CN103681461A 半导体器件结构及其制作方法 Public/Granted day:2014-03-26

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流