Invention Grant
- Patent Title: 具有穿通抑制的先进晶体管
-
Application No.: CN201180035830.2Application Date: 2011-06-21
-
Publication No.: CN103038721BPublication Date: 2015-08-19
- Inventor: L·希弗伦 , P·拉纳德 , P·E·格雷戈里 , S·R·松库沙莱 , W·张 , S·E·汤普森
- Applicant: 三重富士通半导体股份有限公司
- Applicant Address: 日本三重县
- Assignee: 三重富士通半导体股份有限公司
- Current Assignee: 三重富士通半导体股份有限公司
- Current Assignee Address: 日本三重县
- Agency: 隆天知识产权代理有限公司
- Agent 张浴月; 金鹏
- Priority: 61/357,492 2010.06.22 US; 12/895,813 2010.09.30 US
- International Application: PCT/US2011/041165 2011.06.21
- International Announcement: WO2011/163169 EN 2011.12.29
- Date entered country: 2013-01-22
- Main IPC: G05F1/10
- IPC: G05F1/10 ; H01L29/78
Abstract:
一种具有穿通抑制的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极，掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱，以及定位在所述栅极下方且具有第二掺杂剂浓度的屏蔽区域。所述第二掺杂剂浓度可以大于5×10个掺杂剂原子/cm。至少一个穿通抑制区域设置在所述栅极下方且在所述屏蔽区域与所述阱之间。所述穿通抑制区域具有介于所述第一掺杂剂浓度与所述第二掺杂剂浓度之间的第三掺杂剂浓度。可以将偏置电压施加到所述阱区域以调节所述晶体管的阈值电压。
Public/Granted literature
- CN103038721A 具有穿通抑制的先进晶体管 Public/Granted day:2013-04-10
Information query
IPC分类:
