发明授权
- 专利标题: 半导体存储装置
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申请号: CN201210253477.1申请日: 2012-07-20
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公开(公告)号: CN102891128B公开(公告)日: 2015-10-14
- 发明人: 铃木秀敏 , 堀田雄一 , 下田雄之 , 小川裕司 , 西山拓 , 大久保忠宣 , 小野寺淳一 , 生田武史 , 奥村尚久 , 渡边胜好 , 土井一英
- 申请人: 株式会社东芝
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社东芝
- 当前专利权人: 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 杨晓光; 于静
- 优先权: 159291/2011 2011.07.20 JP
- 主分类号: H01L23/495
- IPC分类号: H01L23/495 ; H01L23/60 ; G06K19/077
摘要:
本发明涉及半导体存储装置。根据实施例,一种半导体存储装置具有包括存储电路的存储器芯片、控制所述存储器芯片的控制器芯片,以及具有彼此相对的第一表面和第二表面的基板,在所述基板的所述第一表面上安装有所述控制器芯片。进一步地,所述半导体存储装置具有在所述基板的所述第二表面上形成的外部连接端子、以及包封所述存储器芯片、所述控制器芯片和所述基板的树脂,所述树脂包括彼此相对的第三表面和第四表面,并且具有仅在邻近所述基板的所述第二表面的所述第四表面上直接印刷的预定标记。
公开/授权文献
- CN102891128A 半导体存储装置 公开/授权日:2013-01-23
IPC分类: