半导体结构及其操作方法
摘要:
本发明公开了一种半导体结构及其操作方法。半导体结构包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一沟道结构与第二栅结构;第一掺杂区位于衬底中;第一掺杂区具有第一导电型;第二掺杂区位于第一掺杂区中;第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型;第三掺杂区位于第二掺杂区中且具有第一导电型;第一沟道结构具有第一栅结构;第一栅结构与第二栅结构分别位于第二掺杂区的不同侧上。
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