发明公开
- 专利标题: 半导体结构及其操作方法
- 专利标题(英): Semiconductor structure and method for operating same
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申请号: CN201110147116.4申请日: 2011-05-27
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公开(公告)号: CN102800688A公开(公告)日: 2012-11-28
- 发明人: 吴锡垣 , 陈永初 , 连士进 , 林正基
- 申请人: 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 周国城
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L29/739 ; H01L29/861
摘要:
本发明公开了一种半导体结构及其操作方法。半导体结构包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一沟道结构与第二栅结构;第一掺杂区位于衬底中;第一掺杂区具有第一导电型;第二掺杂区位于第一掺杂区中;第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型;第三掺杂区位于第二掺杂区中且具有第一导电型;第一沟道结构具有第一栅结构;第一栅结构与第二栅结构分别位于第二掺杂区的不同侧上。
公开/授权文献
- CN102800688B 半导体结构及其操作方法 公开/授权日:2015-03-04
IPC分类: