本发明公开了一种可改善电学性能的超高电压N型金属氧化物半导体(UHV NMOS)元件及其制造方法。UHV NMOS元件包括一P型衬底；一第一高压N型阱区域，设置于衬底的一部分；一源极和基体P型阱，设置于邻近第一高压N型阱区域的一侧，且源极和基体P型阱包括一源极和一基体；一栅极，自源极和基体P型阱延伸至第一高压N型阱区域的一部分；一漏极设置于第一高压N型阱的另一部分且与栅极相对应；一P型场限制层，设置于第一高压N型阱区域内，且P型场限制层位于漏极与源极和基体P型阱之间；以及一N型掺杂层，形成于P型场限制层上方。