发明授权
- 专利标题： 鳍式场效晶体管及其制法
- 专利标题（英）： Fin field effect transistor and method of making the same
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申请号： CN201010251092.2申请日： 2010-08-09
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公开(公告)号： CN102194756B公开(公告)日： 2013-06-19
- 发明人: 林家彬 , 詹前泰 , 林献钦 , 林学仕
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理商 姜燕; 陈晨
- 优先权： 12/725,554 2010.03.17 US
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L21/336 ; H01L27/092 ; H01L29/78 ; H01L29/06
摘要：
本发明提供一种鳍式场效晶体管(FinFET)及其制法，该晶体管制法包括：从半导体基材之上延伸形成鳍式场效晶体管的第一与第二鳍，其中浅沟隔离(shallow trench isolation，STI)区域位于第一与第二鳍之间，且与第一、第二鳍上表面之间具有一距离；提供第一与第二鳍延伸部分于高于浅沟隔离区域的上表面之上的第一与第二鳍的上表面与侧表面之上；从浅沟隔离区域移除部分材料，以增加介于浅沟隔离区域上表面与第一、第二鳍上表面之间的距离；沉积顺应性应力介电材料于第一、第二鳍与浅沟隔离区域之上；回焊顺应性应力介电材料。本发明可减少桥接现象并提高鳍式场效晶体管的选择性外延成长技术效率。
公开/授权文献
- CN102194756A 鳍式场效晶体管及其制法 公开/授权日：2011-09-21
IPC分类:
