一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
摘要:
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法,这种方法包括以下步骤:首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1),在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3),用芯片(4)作为掩膜,光刻出中央开口的图形;腐蚀形成第一通孔(6),深刻蚀得到第二通孔(7);接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除,得到甩胶套(8);然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7),甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上,支持薄膜(9)固定在甩胶机上;将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶,得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度,提高芯片面积的利用率,并增加后续工艺的完整性。
0/0