发明授权
CN102163547B 一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
- 专利标题(英): Method for depositing photoresist on microelectronic or photoelectronic chip
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申请号: CN201110054010.X申请日: 2011-03-08
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公开(公告)号: CN102163547B公开(公告)日: 2012-07-25
- 发明人: 黄寓洋 , 崔国新 , 殷志珍 , 张宇翔 , 冯成义 , 张耀辉
- 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 申请人地址: 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
- 专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
- 主分类号: H01L21/027
- IPC分类号: H01L21/027 ; G03F7/16
摘要:
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法,这种方法包括以下步骤:首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1),在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3),用芯片(4)作为掩膜,光刻出中央开口的图形;腐蚀形成第一通孔(6),深刻蚀得到第二通孔(7);接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除,得到甩胶套(8);然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7),甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上,支持薄膜(9)固定在甩胶机上;将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶,得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度,提高芯片面积的利用率,并增加后续工艺的完整性。
公开/授权文献
- CN102163547A 一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法 公开/授权日:2011-08-24
IPC分类: