发明授权
- 专利标题: 辐射源、光刻设备以及器件制造方法
- 专利标题(英): Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
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申请号: CN200980131416.4申请日: 2009-07-13
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公开(公告)号: CN102119366B公开(公告)日: 2015-04-22
- 发明人: A·凯姆鹏 , V·班尼恩 , V·伊万诺夫 , E·鲁普斯卓
- 申请人: ASML荷兰有限公司
- 申请人地址: 荷兰维德霍温
- 专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰维德霍温
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 优先权: 61/136,130 2008.08.14 US; 61/136,129 2008.08.14 US; 61/193,373 2008.11.21 US
- 国际申请: PCT/EP2009/058898 2009.07.13
- 国际公布: WO2010/018039 EN 2010.02.18
- 进入国家日期: 2011-02-11
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; G21K1/00
摘要:
一种光刻设备,包括:源,配置成使用等离子体生成包括想要的辐射和不想要的辐射的辐射束;照射系统,配置成在光刻设备操作期间调节辐射束并且接收氢气;和支撑结构,构造成保持图案形成装置。所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。衬底台构造成保持衬底,以及投影系统配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。光刻设备配置成使得进入照射系统的辐射束包括由等离子体生成的至少50%的不想要的辐射,并且包括与氢气反应以生成氢自由基的辐射的波长。
公开/授权文献
- CN102119366A 辐射源、光刻设备以及器件制造方法 公开/授权日:2011-07-06
IPC分类: