发明授权
- 专利标题: 一种平坦化方法
- 专利标题(英): Planarization method
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申请号: CN201010545902.5申请日: 2010-11-16
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公开(公告)号: CN102097311B公开(公告)日: 2012-08-29
- 发明人: 肖志强 , 黄蕴 , 张明 , 吴建伟
- 申请人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
- 专利权人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 当前专利权人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
- 代理机构: 无锡市大为专利商标事务所
- 代理商 曹祖良
- 主分类号: H01L21/31
- IPC分类号: H01L21/31 ; H01L21/311 ; H01L21/02 ; H01L21/768
摘要:
本发明涉及一种平坦化方法,其包括如下步骤:a、提供衬底,衬底上设置底层金属连线;b、淀积绝缘介质层;c、涂布光刻胶;d、对衬底及光刻胶进行热处理;e、对衬底及光刻胶进行干法刻蚀,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;f、用EKC溶液清洗;g、再次淀积绝缘介质层;h、再次涂布光刻胶;i、对上述衬底及光刻胶进行热处理;j、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀,去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当;k、对上述衬底通过干法去胶后,再用EKC溶液清洗。本发明工艺步骤简单有效,加工成本低廉,平坦化效果好,安全可靠。
公开/授权文献
- CN102097311A 一种平坦化方法 公开/授权日:2011-06-15
IPC分类: