一种接触孔的形成方法，包括：在半导体衬底上形成布线层，所述半导体衬底分为器件密集区、器件非密集区和切割区；在布线层上依次形成第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；在第二刻蚀阻挡层上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层和第二刻蚀阻挡层，形成接触孔图形，其中至少一个区域的接触孔图形内残留有第二刻蚀阻挡层；沿接触孔图形刻蚀剩余第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层，形成接触孔开口图形，使器件密集区、器件非密集区和切割区的接触孔开口图形内残留第一刻蚀阻挡层的厚度接近一致；沿接触孔开口图形刻蚀去除第一刻蚀阻挡层，形成接触孔。本发明各区域的接触孔深度接近一致，避免了断路情况的产生，提高了半导体器件的电性能。