知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN101944496B 柱状结构及其形成方法、倒装芯片接合结构 有权 复审申请

柱状结构及其形成方法、倒装芯片接合结构
摘要：
本发明提供一种于铜柱结构之上形成良好粘着性的介金属化合物的柱状结构的形成方法与柱状结构及倒装芯片接合结构。该方法包括沉积铜以形成铜柱层；沉积扩散阻挡层于铜柱层之上；沉积铜盖层于扩散阻挡层之上，其中于铜盖层与扩散阻挡层之间形成介金属化合物(IMC)；以及焊料层形成于铜盖层之上。介金属化合物对于铜柱结构具有良好的粘着性，且介金属化合物的厚度由铜盖层的厚度决定，且扩散阻挡层限制铜从铜柱层中扩散到焊料层。于沉积铜盖层之前，方法中还包括沉积一薄层于扩散阻挡层之上，以增进湿润性(wetability)。本发明的优点包括于铜柱凸块上形成良好粘着性的介金属化合物(IMC)，且形成整体可靠的结构。
摘要（英）：

A method and structure for good adhesion of Intermetallic Compounds (IMC) on Cu pillar bumps are provided. The method includes depositing Cu to form a Cu pillar layer, depositing a diffusion barrier layer on top of the Cu pillar layer, and depositing a Cu cap layer on top of the diffusion barrier layer, where an intermetallic compound (IMC) is formed among the diffusion barrier layer, the Cu cap layer, and a solder layer placed on top of the Cu cap layer. The IMC has good adhesion on the Cu pillar structure, the thickness of the IMC is controllable by the thickness of the Cu cap layer, and the diffusion barrier layer limits diffusion of Cu from the Cu pillar layer to the solder layer. The method can further include depositing a thin layer for wettability on top of the diffusion barrier layer prior to depositing the Cu cap layer.

公开/授权文献
0/0