本发明中公开了一种浅沟道隔离结构的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层、氮化硅层和光刻胶层，在进行曝光显影工艺后，以光刻胶层为掩膜对氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底进行刻蚀，形成浅沟槽；对氮化硅层进行回蚀；使用现场蒸汽生成工艺在浅沟槽内壁以及由于所述回蚀而暴露在外的有源区上形成衬氧化层；向浅沟槽内填充绝缘层，去除氮化硅层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。通过使用上述的方法，有利于在STI结构上形成对称的圆形顶角，同时还增加了该圆形顶角上的氧化层的厚度，从而减小了所述凹坑对半导体元器件的电学性能的不利影响。