一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法

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CN101764094B 一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法有权转让

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专利标题： 一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法
专利标题（英）： Method for regulating threshold voltage of complementary metal oxide semiconductor
申请号： CN200810240827.4

申请日： 2008-12-24
公开(公告)号： CN101764094B

公开(公告)日： 2012-07-11
发明人: 李如东 , 谭志辉 , 谭灿建
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
申请人地址： 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
专利权人： 北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
当前专利权人： 深圳方正微电子有限公司
当前专利权人地址： 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
代理机构： 北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理商 郭润湘
主分类号： H01L21/8238
IPC分类号： H01L21/8238

摘要：

本发明公开了一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法，主要包括：根据P型金属氧化物半导体的阈值电压VTP，确定P型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果对生成栅氧层后的硅片进行P型离子普注；根据N型金属氧化物半导体的阈值电压VTN以及所述P型离子的注入剂量以及能量，确定N型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果以及对所述硅片进行P阱光刻时使用的P阱光刻版对经过P型离子普注的硅片进行光刻以及N型离子注入。根据该技术方案能够准确地调节VTP以及VTN，并且节约了工艺成本。

摘要（英）：

The invention discloses a method for regulating the threshold voltage of a complementary metal oxide semiconductor. The method mainly comprises that the implantation dosage and the energy of P-type ions are determined according the threshold value VTP of P-type metal oxide semiconductor, and P-type ion common implantation is conducted to a silicon wafer with gate oxide layer according to the result of the determination; and the implantation dosage and the energy of N-type ions are determined according to the threshold voltage VTN of N-type metal oxide semiconductor, the implantation dosage and the energy of the P-type ions, and photoetching and N-type ion implantation are conducted to the silicon wafer underwent the P-type ion common implantation according to the result of the determination and a P-well photoglyphy used to conduct P-well photoetching to the silicon wafer. By adopting the technical scheme, the VTP and the VTN can be accurately adjusted and the technological cost is saved.

公开/授权文献

CN101764094A 一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法公开/授权日：2010-06-30

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8238	........互补场效应晶体管，例如CMOS