发明授权
CN101550027B 一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法
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申请号: CN200910071933.9申请日: 2009-04-30
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公开(公告)号: CN101550027B公开(公告)日: 2011-12-21
- 发明人: 冯明 , 王文 , 周玉 , 柯华
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 金永焕
- 主分类号: C04B41/50
- IPC分类号: C04B41/50 ; C04B35/499 ; C04B35/472
摘要:
一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法,它涉及一种铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜铁电性能差、电光学性能差、纯度低、致密度低及在制备过程中烧结温度高的问题。方法:1.称取原材料;2.制溶液A;3.制溶液B;4.制溶液C;5.制(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)-xPbTiO3溶胶;6.将基片预处理;7.利用匀胶机将溶胶涂覆到基片上,然后烘干制薄膜D;8.将薄膜D在快速热处理炉中焙烧,然后冷却至室温即得到PMN-PT铁电薄膜。本方法制备出来的铁电薄膜具有优异的铁电性能及电光学性能,高纯度、高密度和较低的晶化温度,本发明工艺简单、设备简单、制备周期短及所用原材料价格低廉、市场上即可购得、成本低。
公开/授权文献
- CN101550027A 一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法 公开/授权日:2009-10-07