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发明授权
CN101150048B 使用单一掩模形成图案的方法 失效 - 权利终止

使用单一掩模形成图案的方法
摘要：
本发明提供一种使用单一掩模形成图案的方法，包括：设置具有已定义图案的光掩模，并通过控制曝光设备的焦距至聚焦位置来执行曝光工艺而在晶片上形成与所述光掩模具有相同形状的图案；及使用该相同光掩模，通过控制曝光设备的焦距至散焦位置，执行曝光工艺，从而在晶片上相对于该图案形成具有反转图像的反图案。
摘要（英）：

A method for forming patterns using a single mask includes: disposing a photo mask having a defined pattern, and performing an exposure process by controlling the focal length of an exposure apparatus to a focusing position to form a pattern having the same shape as the photo mask on the wafer; and using the same photo mask, and performing the exposure process by controlling the focal length of the exposure apparatus to a defocusing position to form a reverse pattern having a reversed image with respect to the pattern on the wafer.

公开/授权文献
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