公开(公告)号：US20150241768A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：US14192225

申请日：2014-02-27

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Ru-Shang Hsiao ,  I-I Cheng ,  Jia-Ming Huang ,  Jen-Pan Wang ,  Ling-Sung Wang ,  Chih-Mu Huang

IPC分类号： G03F1/42 ,  H01L21/027 ,  G06T7/00 ,  H01L23/544

CPC分类号： G03F1/42 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148 ,  G06T2207/30204 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first material formed on a substrate. The first material includes a first alignment mark. The first alignment mark includes alignment lines in at least three directions. The semiconductor device further includes a second material comprising a second alignment mark. The second alignment mark corresponds to the first alignment mark such that when the second alignment mark is aligned with the first alignment mark, the second material is aligned with the first material.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一材料。 第一材料包括第一对准标记。 第一对准标记包括至少三个方向上的对准线。 半导体器件还包括第二材料，其包括第二对准标记。 第二对准标记对应于第一对准标记，使得当第二对准标记与第一对准标记对准时，第二材料与第一材料对准。

公开(公告)号：US09217917B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US14192225

申请日：2014-02-27

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Ru-Shang Hsiao ,  I-I Cheng ,  Jia-Ming Huang ,  Jen-Pan Wang ,  Ling-Sung Wang ,  Chih-Mu Huang

IPC分类号： H01L21/76 ,  G03F1/42 ,  H01L23/544 ,  H01L21/027 ,  G06T7/00

CPC分类号： G03F1/42 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148 ,  G06T2207/30204 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first material formed on a substrate. The first material includes a first alignment mark. The first alignment mark includes alignment lines in at least three directions. The semiconductor device further includes a second material comprising a second alignment mark. The second alignment mark corresponds to the first alignment mark such that when the second alignment mark is aligned with the first alignment mark, the second material is aligned with the first material.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一材料。 第一材料包括第一对准标记。 第一对准标记包括至少三个方向上的对准线。 半导体器件还包括第二材料，其包括第二对准标记。 第二对准标记对应于第一对准标记，使得当第二对准标记与第一对准标记对准时，第二材料与第一材料对准。