公开(公告)号：US20120080656A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13200644

申请日：2011-09-28

申请人： Sung Yool Choi ,  Jong Yun Kim ,  Hu Young Jeong

发明人： Sung Yool Choi ,  Jong Yun Kim ,  Hu Young Jeong

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/8239 ,  B82Y99/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/80 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0591

摘要： A graphene oxide memory device includes a substrate, a lower electrode disposed on the substrate, an electron channel layer disposed on the lower electrode by using a graphene oxide, and an upper electrode disposed on the electron channel layer.

摘要翻译： 石墨烯氧化物存储器件包括衬底，设置在衬底上的下电极，通过使用氧化石墨烯设置在下电极上的电子通道层和设置在电子通道层上的上电极。