公开(公告)号：US20160086778A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：US14713542

申请日：2015-05-15

Applicant: Samsung Display Co., LTD.

Inventor： Gun Hee KIM ,  Woo Yong SONG ,  Hoo Wan KANG ,  Myun Joon PARK ,  Sung Baik AN ,  Ki Ryoung HAN

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: A sputtering target includes: a first crystal comprising In2O3 in a bixbyite structure and SnO2 of a tetragonal structure; and a second crystal comprising In4Sn3O12 in an orthorhombic structure, wherein the second crystal accounts for 8 to 16% of a total size of the first and second crystals.

Abstract translation: 溅射靶包括：第一晶体，其包含菱形结构的In 2 O 3和四方结构的SnO 2; 以及包含正交结构中的In 4 Sn 3 O 12的第二晶体，其中第二晶体占第一和第二晶体总尺寸的8至16％。