公开(公告)号：US20090183772A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12355078

申请日：2009-01-16

申请人： SEUNG KI JOO ,  HYEONG SUK YOO ,  YOUNG SU KIM

发明人： SEUNG KI JOO ,  HYEONG SUK YOO ,  YOUNG SU KIM

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0368

CPC分类号： H01L31/1872 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： Disclosed herein is a method of forming a light-absorbing layer of a polycrystalline silicon solar cell, including: forming a polycrystalline silicon layer on a back electrode; forming an intrinsic amorphous silicon layer on the polycrystalline silicon layer; and heat-treating the transparent insulating substrate to vertically crystallize the intrinsic amorphous silicon layer using the polycrystalline silicon layer as a seed for crystallization through a metal induced vertical crystallization (MIVC) process to form the intrinsic amorphous silicon layer into a light-absorbing layer made of polycrystalline silicon, and is a method of fabricating a high-efficiency polycrystalline silicon solar cell using the light-absorbing layer.

摘要翻译： 本文公开了形成多晶硅太阳能电池的光吸收层的方法，包括：在背面电极上形成多晶硅层; 在所述多晶硅层上形成本征非晶硅层; 并且通过金属诱导垂直结晶（MIVC）工艺，使用多晶硅层作为结晶晶种，对透明绝缘基板进行热处理，以使本征非晶硅层垂直结晶，从而将本征非晶硅层形成为制成的光吸收层 的多晶硅，并且是使用该光吸收层制造高效多晶硅太阳能电池的方法。