公开(公告)号：US20150325580A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：US14746205

申请日：2015-06-22

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Sung-Hun LEE ,  Ki-Yong KIM ,  Sung-Wook PARK ,  Gyu-Yeol LEE

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/11524 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/788

Abstract: In a semiconductor device, a first gate structure is provided in a cell transistor region and includes a floating gate electrode, a first dielectric layer pattern, and a control gate electrode including a first metal silicide pattern. A second gate structure is provided in a selecting transistor region and includes a first conductive layer pattern, a second dielectric layer pattern, and a first gate electrode including a second metal silicide pattern. A third gate structure is provided in a peripheral circuit region and includes a second conductive layer pattern, a third dielectric layer pattern including opening portions on the second conductive layer pattern, and a second gate electrode including a concavo-convex portion at an upper surface portion thereof and a third metal silicide pattern. The third metal silicide pattern has a uniform thickness.

Abstract translation: 在半导体器件中，第一栅极结构设置在单元晶体管区域中，并且包括浮置栅电极，第一介电层图案和包括第一金属硅化物图案的控制栅电极。 第二栅极结构设置在选择晶体管区域中，并且包括第一导电层图案，第二介电层图案和包括第二金属硅化物图案的第一栅电极。 第三栅极结构设置在外围电路区域中，并且包括第二导电层图案，在第二导电层图案上包括开口部分的第三介电层图案，以及在上表面部分包括凹凸部分的第二栅电极 和第三金属硅化物图案。 第三金属硅化物图案具有均匀的厚度。