公开(公告)号：US20140183435A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：US14096055

申请日：2013-12-04

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Sea-Phyo KIM ,  Dong-Bok LEE ,  Chan-Min LEE

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: A semiconductor device includes a conductive line, a diode on the conductive line, one or more insulating patterns adjacent to diode, and a data storage region coupled to the diode. An upper surface of the diode is between the one or more insulating patterns and the data storage region. The data storage region may include a phase-change region, and the diode may taper in width between two insulating patterns in one arrangement.

Abstract translation: 半导体器件包括导线，导线上的二极管，与二极管相邻的一个或多个绝缘图案，以及耦合到二极管的数据存储区域。 二极管的上表面位于一个或多个绝缘图案和数据存储区域之间。 数据存储区域可以包括相变区域，并且二极管可以在一个布置中在两个绝缘图案之间的宽度上逐渐变细。