公开(公告)号：US09558956B2

公开(公告)日：2017-01-31

申请号：US14789420

申请日：2015-07-01

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Bong-Cheol Kim ,  Eun-Shoo Han ,  Dong-Seok Lee

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10897

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided, which includes forming a first mask pattern and a second mask pattern on a first layer, forming a block mask that covers the second mask pattern on the first layer, forming first spacers on side walls of the first mask pattern, exposing the second mask pattern through removal of the first mask pattern and the block mask, forming a third mask pattern and a fourth mask pattern through etching of the first layer using the first spacers and the second mask pattern as etch masks, and forming second spacers and third spacers on side walls of the third mask pattern and side walls of the fourth mask pattern, respectively.

Abstract translation: 提供了一种制造半导体器件的方法，其包括在第一层上形成第一掩模图案和第二掩模图案，形成覆盖第一层上的第二掩模图案的块掩模，在第一层的侧壁上形成第一间隔物 第一掩模图案，通过去除第一掩模图案和块掩模曝光第二掩模图案，通过使用第一间隔物和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻第一层来形成第三掩模图案和第四掩模图案， 以及分别在第三掩模图案的侧壁和第四掩模图案的侧壁上形成第二间隔物和第三间隔物。