公开(公告)号：US20140065413A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US14013568

申请日：2013-08-29

申请人： SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： Chung Hee LEE ,  Jae Choon CHO ,  Jong Yoon JANG ,  Hee Sun CHUN ,  Jong Su PARK ,  Sung Hyun KIM

IPC分类号： H01B3/00 ,  H01B19/04 ,  H01B17/60 ,  H01B3/40

CPC分类号： H01B3/002 ,  H01B3/40 ,  H01B17/60 ,  H01B19/04 ,  H05K1/036 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/0373 ,  H05K2201/0209 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31511

摘要： Disclosed herein are an insulating film and a producing method of the insulating film which can address problems caused by dents by providing a reinforcing layer having the weight ratio of the silica of 60 to 80 wt % on one surface of the insulating film.

摘要翻译： 这里公开了绝缘膜和绝缘膜的制造方法，其可以通过在绝缘膜的一个表面上设置二氧化硅的重量比为60〜80重量％的增强层来解决由凹痕引起的问题。