公开(公告)号：US09099329B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13782864

申请日：2013-03-01

申请人： SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： Hee Suk Chung ,  Gyu Seok Kim ,  Han Wool Kang ,  Kyung Ho Lee ,  Mi Yang Kim ,  Suk Jin Ham

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/033 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L21/02 ,  H01L33/18

CPC分类号： H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02614 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L33/18

摘要： There is provided an In nanowire including a substrate, an indium thin film formed on the substrate, an insulating film formed on the indium thin film and having at least one through hole through formation of a pattern, and an In nanowire vertically protruded from the indium thin film through the at least one through hole.

摘要翻译： 提供了一种In纳米线，其包括基板，形成在基板上的铟薄膜，形成在铟薄膜上并具有通过形成图案的至少一个通孔的绝缘膜，以及从铟垂直地突出的In纳米线 薄膜通过至少一个通孔。