公开(公告)号：US08796058B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13287575

申请日：2011-11-02

申请人： Russell T. Herrin ,  Daniel R. Miga ,  Anthony K. Stamper

发明人： Russell T. Herrin ,  Daniel R. Miga ,  Anthony K. Stamper

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00476 ,  B81B2203/0315 ,  B81C99/007 ,  B81C2201/0108 ,  H01L21/56 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, metrology structures and methods of manufacture are disclosed. The method includes forming one or metrology structure, during formation of a device in a chip area. The method further includes venting the one or more metrology structure after formation of the device.

摘要翻译： 公开了微机电系统（MEMS）结构，计量结构和制造方法。 该方法包括在芯片区域中的器件形成期间形成一个或计量结构。 该方法还包括在形成装置之后排出一个或多个计量结构。

公开(公告)号：US20120086101A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US12898885

申请日：2010-10-06

申请人： David A. DeMuynck ,  Zhong-Xiang He ,  Daniel R. Miga ,  Matthew D. Moon ,  Daniel S. Vanslette ,  Eric J. White

发明人： David A. DeMuynck ,  Zhong-Xiang He ,  Daniel R. Miga ,  Matthew D. Moon ,  Daniel S. Vanslette ,  Eric J. White

IPC分类号： H01L29/86 ,  H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The disclosure relates generally to integrated circuits (IC), IC interconnects, and methods of fabricating the same, and more particularly, high performance inductors. The IC includes at least one trench within a dielectric layer disposed on a substrate. The trench is conformally coated with a liner and seed layer, and includes an interconnect within. The interconnect includes a hard mask on the sidewalls of the interconnect.

摘要翻译： 本公开一般涉及集成电路（IC），IC互连及其制造方法，更具体地，涉及高性能电感器。 IC包括设置在基板上的电介质层内的至少一个沟槽。 沟槽被保形地涂覆有衬里和种子层，并且包括内部的互连。 互连包括在互连的侧壁上的硬掩模。