公开(公告)号：US20020009612A1

公开(公告)日：2002-01-24

申请号：US09912994

申请日：2001-07-25

Applicant: Motorola, Inc.

Inventor： Ramamoorthy Ramesh ,  Yu Wang ,  Jeffrey M. Finder ,  Zhiyi Yu ,  Ravindranath Droopad ,  Kurt Eisenbeiser

IPC: B32B003/00 ,  B32B007/00 ,  B32B015/00 ,  B32B009/00 ,  B32B019/00

CPC classification number: H01L21/02197 ,  B32B9/00 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/29 ,  H01L41/319 ,  Y10T428/24917

Abstract: A high quality epitaxial layer of monocrystalline Pb(Mg,Nb)O3nullPbTiO3 or Pb(Mg1-x-Nbx)O3nullPbTiO3 can be grown overlying large silicon wafers by first growing an strontium titanate layer on a silicon wafer. The strontium titanate layer is a monocrystalline layer spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide.

Abstract translation: 首先在硅晶片上生长钛酸锶层，可以将大量的单晶Pb（Mg，Nb）O3-PbTiO3或Pb（Mg1-x-Nbx）O3-PbTiO3）的外延层生长在大的硅晶片上。 钛酸锶层是通过硅氧化物的非晶界面层与硅晶片隔开的单晶层。