公开(公告)号：US20060077719A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：US10711819

申请日：2004-10-07

申请人： Matthew Breitwisch ,  Chung Lam ,  Steven Mittl ,  Jian Zhu

发明人： Matthew Breitwisch ,  Chung Lam ,  Steven Mittl ,  Jian Zhu

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/28

摘要： A reprogrammable integrated circuit (IC) including overwritable nonvolatile storage cells. Cell contents are compared in a differential sense amplifier against a variable reference signal that has a number of selectable reference levels corresponding to reprogrammed cell threshold voltages. With each write cycle the nonvolatile storage cells are overwritten and then, compared against a different, e.g., higher, selectable reference level.

摘要翻译： 包括可重写非易失性存储单元的可重复编程集成电路（IC）。 在差分读出放大器中将单元内容与可变参考信号进行比较，该可变参考信号具有对应于重新编程的单元阈值电压的多个可选参考电平。 在每个写周期中，非易失性存储单元被覆盖，然后与不同的，例如更高的可选参考电平进行比较。

公开(公告)号：US07123517B2

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10711819

申请日：2004-10-07

申请人： Matthew Breitwisch ,  Chung H. Lam ,  Steven Mittl ,  Jian W. Zhu

发明人： Matthew Breitwisch ,  Chung H. Lam ,  Steven Mittl ,  Jian W. Zhu

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/28

摘要： A reprogrammable integrated circuit (IC) including overwritable nonvolatile storage cells. Cell contents are compared in a differential sense amplifier against a variable reference signal that has a number of selectable reference levels corresponding to reprogrammed cell threshold voltages. With each write cycle the nonvolatile storage cells are overwritten and then, compared against a different, e.g., higher, selectable reference level.

摘要翻译： 包括可重写非易失性存储单元的可重复编程集成电路（IC）。 在差分读出放大器中将单元内容与可变参考信号进行比较，该可变参考信号具有对应于重新编程的单元阈值电压的多个可选参考电平。 在每个写入周期中，非易失性存储单元被覆盖，然后与不同的，例如更高的可选参考电平进行比较。