公开(公告)号：US20080195828A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12069765

申请日：2008-02-13

申请人： Jin-hyuk Kim ,  Jae-wook Cheong ,  Young-gon Kim

发明人： Jin-hyuk Kim ,  Jae-wook Cheong ,  Young-gon Kim

IPC分类号： G06F12/16

CPC分类号： G06F12/0246

摘要： Provided is a data writing method of copying data having logical pages prior to logical pages of data to write from a data block used in non-volatile memory device. The data writing method includes copying data having logical pages prior to a logical page of data to write from a second block to a first block, and writing the data to write in a page next to the copied prior logical pages.

摘要翻译： 提供了一种数据写入方法，用于在从非易失性存储器件中使用的数据块写入数据的逻辑页面之前复制具有逻辑页面的数据。 数据写入方法包括在逻辑页面数据之前复制具有从第二块到第一块写入的逻辑页面的数据，并且写入数据以写入复制的先前逻辑页面旁边的页面。

公开(公告)号：US20080155309A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11607023

申请日：2006-12-01

申请人： Jae-wook Cheong ,  Young-gon Kim ,  Kil-joong Yun

发明人： Jae-wook Cheong ,  Young-gon Kim ,  Kil-joong Yun

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： G06F11/0778 ,  G06F11/073 ,  G06F11/0793

摘要： A debugging method employed by a memory card includes performing an initialization operation of the memory card, determining whether an error has occurred in the initialization operation, and upon the occurrence of an error during the initialization operation, executing an error control program when a first control command is input. The execution of the error control program performing an interrupt service routine, and jumping to a system initialization routine after the interrupt service routine is performed.

摘要翻译： 存储卡采用的调试方法包括执行存储卡的初始化操作，确定在初始化操作中是否发生错误，以及在初始化操作期间发生错误时，执行错误控制程序时，当第一控制 命令被输入。 执行中断服务程序的错误控制程序的执行，并且执行中断服务程序之后跳转到系统初始化程序。

公开(公告)号：US20080195804A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12069764

申请日：2008-02-13

申请人： Jin-hyuk Kim ,  Chang-eun Choi ,  Young-gon Kim

发明人： Jin-hyuk Kim ,  Chang-eun Choi ,  Young-gon Kim

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7202

摘要： A method of writing partial page data in a non-volatile memory device includes, reading data from a second block when the size of a last page of data to be written in a page of a first block is smaller than a size of the page of the first block, wherein a size of the read data is given by the size of the page of the first block minus the size of the last page of data; storing together data of the last page and the data read from the second block in a buffer; and writing the data stored in the buffer in the first block.

摘要翻译： 在非易失性存储器件中写入局部页面数据的方法包括：当要写入第一块的页面中的最后一页数据的大小小于页面的大小时，从第二块读取数据 所述第一块，其中所述读取数据的大小由所述第一块的页面的大小减去所述最后一页数据的大小; 将最后一页的数据和从第二块读取的数据存储在缓冲器中; 并将存储在缓冲器中的数据写入第一块。

公开(公告)号：US08386696B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12069764

申请日：2008-02-13

申请人： Jin-hyuk Kim ,  Chang-eun Choi ,  Young-gon Kim

发明人： Jin-hyuk Kim ,  Chang-eun Choi ,  Young-gon Kim

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7202

摘要： A method of writing partial page data in a non-volatile memory device includes, reading data from a second block when the size of a last page of data to be written in a page of a first block is smaller than a size of the page of the first block, wherein a size of the read data is given by the size of the page of the first block minus the size of the last page of data; storing together data of the last page and the data read from the second block in a buffer; and writing the data stored in the buffer in the first block.

摘要翻译： 在非易失性存储器件中写入局部页面数据的方法包括：当要写入第一块的页面中的最后一页数据的大小小于页面的大小时，从第二块读取数据 所述第一块，其中所述读取数据的大小由所述第一块的页面的大小减去所述最后一页数据的大小; 将最后一页的数据和从第二块读取的数据存储在缓冲器中; 并将存储在缓冲器中的数据写入第一块。