公开(公告)号：US20130017663A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13543905

申请日：2012-07-09

申请人： JEONG-HEE PARK ,  SOON-OH PARK ,  JUNG-HWAN PARK ,  JIN-HO OH

发明人： JEONG-HEE PARK ,  SOON-OH PARK ,  JUNG-HWAN PARK ,  JIN-HO OH

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a phase change material layer pattern includes forming a phase change material layer partially filling an opening through an insulating interlayer. A plasma treatment process is performed on the phase change material layer to remove an oxide layer on a surface of the phase change material layer. A heat treatment process is performed on the phase change material layer to remove a void or a seam in the phase change material layer, sufficiently filling the opening.

摘要翻译： 形成相变材料层图案的方法包括：通过绝缘中间层形成部分填充开口的相变材料层。 在相变材料层上进行等离子体处理工艺以去除相变材料层的表面上的氧化物层。 在相变材料层上进行热处理工艺以去除相变材料层中的空隙或接缝，充分填充开口。