公开(公告)号：US08384100B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US11915304

申请日：2006-05-26

申请人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Hechu Liu ,  Maoxing Zhou

发明人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Hechu Liu ,  Maoxing Zhou

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405

摘要： There is provided an InGaAlN light-emitting device and a manufacturing method thereof. The light emitting device includes a conductive substrate having a main surface and a back surface, a metal bonding layer formed on the main surface of the substrate, a light reflecting layer formed on the bonding layer, a semiconductor multilayer structure including at least a p-type and an n-type InGaAlN layer disposed on the reflecting layer, the p-type InGaAlN layer directly contacting the reflecting layer, and ohmic electrodes disposed on said n-type InGaAlN layer and on the back surface of the conductive substrate, respectively.

摘要翻译： 提供了一种InGaAlN发光器件及其制造方法。 发光器件包括具有主表面和背表面的导电衬底，形成在衬底的主表面上的金属粘合层，形成在接合层上的光反射层，至少包括p- 以及设置在反射层上的n型InGaAlN层，与反射层直接接触的p型InGaAlN层和分别设置在所述n型InGaAlN层和导电基板的背面上的欧姆电极。

公开(公告)号：US08053757B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12159850

申请日：2007-08-31

申请人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang ,  Chunlan Mo ,  Yong Pu ,  Chuanbing Xiong

发明人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang ,  Chunlan Mo ,  Yong Pu ,  Chuanbing Xiong

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： One embodiment of the present invention provides a gallium nitride (GaN)-based semiconductor light-emitting device (LED) which includes an n-type GaN-based semiconductor layer (n-type layer); an active layer; and a p-type GaN-based semiconductor layer (p-type layer). The n-type layer is epitaxially grown by using ammonia gas (NH3) as the nitrogen source prior to growing the active layer and the p-type layer. The flow rate ratio between group V and group III elements is gradually reduced from an initial value to a final value. The GaN-based LED exhibits a reverse breakdown voltage equal to or greater than 60 volts.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种包含n型GaN基半导体层（n型层）的基于氮化镓（GaN）的半导体发光器件（LED）。 活性层 和p型GaN类半导体层（p型层）。 在生长活性层和p型层之前，通过使用氨气（NH 3）作为氮源，外延生长n型层。 V组和III组元件之间的流量比从初始值逐渐减小到最终值。 GaN基LED呈现等于或大于60伏的反向击穿电压。

公开(公告)号：US08361880B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12063989

申请日：2006-10-26

申请人： Fengyi Jiang ,  Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Li Wang

发明人： Fengyi Jiang ,  Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Li Wang

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/641

摘要： One embodiment of the present invention provides a semiconductor light-emitting device which includes a multi-layer structure. The multilayer structure comprises a first doped layer, an active layer, and a second doped layer. The semiconductor light-emitting device further includes a first Ohmic-contact layer configured to form a conductive path to the first doped layer, a second Ohmic-contact layer configured to form a conductive path to the second doped layer, and a support substrate comprising not less than 15% chromium (Cr) measured in weight percentage.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种包括多层结构的半导体发光器件。 多层结构包括第一掺杂层，有源层和第二掺杂层。 所述半导体发光器件还包括配置成形成到所述第一掺杂层的导电路径的第一欧姆接触层，被配置为形成到所述第二掺杂层的导电路径的第二欧姆接触层，以及不包括 小于15％的铬（Cr）以重量百分比测量。

公开(公告)号：US20090026473A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US11915304

申请日：2006-05-26

申请人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Hechu Liu ,  Maoxing Zhou

发明人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Hechu Liu ,  Maoxing Zhou

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405

摘要： There is provided an InGaAlN light-emitting device and a manufacturing method thereof. The light emitting device includes a conductive substrate having a main surface and a back surface, a metal bonding layer formed on the main surface of the substrate, a light reflecting layer formed on the bonding layer, a semiconductor multilayer structure including at least a p-type and an n-type InGaAlN layer disposed on the reflecting layer, the p-type InGaAlN layer directly contacting the reflecting layer, and ohmic electrodes disposed on said n-type InGaAlN layer and on the back surface of the conductive substrate, respectively.

摘要翻译： 提供了一种InGaAlN发光器件及其制造方法。 发光器件包括具有主表面和背表面的导电衬底，形成在衬底的主表面上的金属粘合层，形成在接合层上的光反射层，至少包括p- 以及设置在反射层上的n型InGaAlN层，与反射层直接接触的p型InGaAlN层和分别设置在所述n型InGaAlN层和导电基板的背面上的欧姆电极。

公开(公告)号：US08383438B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US13059140

申请日：2008-08-19

申请人： Chuanbing Xiong ,  Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang ,  Guping Wang ,  Shaohua Zhang

发明人： Chuanbing Xiong ,  Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang ,  Guping Wang ,  Shaohua Zhang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44

摘要： One embodiment of the present invention provides a method for fabricating light-emitting diodes. The method includes etching grooves on a growth substrate, thereby creating mesas on the growth substrate. The method further includes fabricating on each of the mesas an indium gallium aluminum nitride (InGaAlN) multilayer structure which contains a p-type layer, a multi-quantum-well layer, and an n-type layer. In addition, the method includes depositing one or more metal substrate layers on top of the InGaAlN multilayer structure. Moreover, the method includes removing the growth substrate. Furthermore, the method includes creating electrodes on both sides of the InGaAlN multilayer structure, thereby resulting in a vertical-electrode configuration.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种制造发光二极管的方法。 该方法包括在生长衬底上蚀刻凹槽，从而在生长衬底上形成台面。 该方法还包括在每个台面上制造包含p型层，多量子阱层和n型层的铟镓铝氮化物（InGaAlN）层叠结构。 此外，该方法包括在InGaAlN多层结构的顶部上沉积一个或多个金属衬底层。 此外，该方法包括去除生长衬底。 此外，该方法包括在InGaAlN多层结构的两侧形成电极，从而形成垂直电极结构。

公开(公告)号：US20110253972A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13059207

申请日：2008-08-19

申请人： Chuanbing Xiong ,  Fengyi Jiang ,  Wenqing Fang ,  Li Wang ,  Guping Wang

发明人： Chuanbing Xiong ,  Fengyi Jiang ,  Wenqing Fang ,  Li Wang ,  Guping Wang

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

摘要： A method for fabricating a semiconductor light-emitting device based on a strain adjustable multilayer semiconductor film is disclosed. The method includes epitaxially growing a multilayer semiconductor film on a growth substrate, wherein the multilayer semiconductor film comprises a first doped semiconductor layer, a second doped semiconductor layer, and a multi-quantum-wells (MQW) active layer; forming an ohmic-contact metal layer on the first doped semiconductor layer; depositing a metal substrate on top of the ohmic-contact metal layer, wherein the density and/or material composition of the metal substrate is adjustable along the vertical direction, thereby causing the strain in the multilayer semiconductor film to be adjustable; etching off the growth substrate; and forming an ohmic-electrode coupled to the second doped semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制造基于应变可调多层半导体膜的半导体发光器件的方法。 该方法包括在生长衬底上外延生长多层半导体膜，其中多层半导体膜包括第一掺杂半导体层，第二掺杂半导体层和多量子阱（MQW）有源层; 在所述第一掺杂半导体层上形成欧姆接触金属层; 在欧姆接触金属层的顶部上沉积金属衬底，其中金属衬底的密度和/或材料组成可沿着垂直方向调节，从而使多层半导体膜中的应变可调; 蚀刻生长衬底; 以及形成耦合到所述第二掺杂半导体层的欧姆电极。

公开(公告)号：US20080224154A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12063989

申请日：2006-10-26

申请人： Fengyi Jiang ,  Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Li Wang

发明人： Fengyi Jiang ,  Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Li Wang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/36 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/641

摘要： One embodiment of the present invention provides a semiconductor light-emitting device which includes a multi-layer structure. The multilayer structure comprises a first doped layer, an active layer, and a second doped layer. The semiconductor light-emitting device further includes a first Ohmic-contact layer configured to form a conductive path to the first doped layer, a second Ohmic-contact layer configured to form a conductive path to the second doped layer, and a support substrate comprising not less than 15% chromium (Cr) measured in weight percentage.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种包括多层结构的半导体发光器件。 多层结构包括第一掺杂层，有源层和第二掺杂层。 所述半导体发光器件还包括配置成形成到所述第一掺杂层的导电路径的第一欧姆接触层，被配置为形成到所述第二掺杂层的导电路径的第二欧姆接触层，以及不包括 小于15％的铬（Cr）以重量百分比测量。

公开(公告)号：US20110140080A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US13059140

申请日：2008-08-19

申请人： Chuanbing Xiong ,  Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang ,  Guping Wang ,  Shaohua Zhang

发明人： Chuanbing Xiong ,  Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang ,  Guping Wang ,  Shaohua Zhang

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/58 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44

摘要： One embodiment of the present invention provides a method for fabricating light-emitting diodes. The method includes etching grooves on a growth substrate, thereby creating mesas on the growth substrate. The method further includes fabricating on each of the mesas an indium gallium aluminum nitride (InGaAlN) multilayer structure which contains a p-type layer, a multi-quantum-well layer, and an n-type layer. In addition, the method includes depositing one or more metal substrate layers on top of the InGaAlN multilayer structure. Moreover, the method includes removing the growth substrate. Furthermore, the method includes creating electrodes on both sides of the InGaAlN multilayer structure, thereby resulting in a vertical-electrode configuration.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种制造发光二极管的方法。 该方法包括在生长衬底上蚀刻凹槽，从而在生长衬底上形成台面。 该方法还包括在每个台面上制造包含p型层，多量子阱层和n型层的铟镓铝氮化物（InGaAlN）多层结构。 此外，该方法包括在InGaAlN多层结构的顶部上沉积一个或多个金属衬底层。 此外，该方法包括去除生长衬底。 此外，该方法包括在InGaAlN多层结构的两侧形成电极，从而形成垂直电极结构。

公开(公告)号：US20110006319A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12159850

申请日：2007-08-31

申请人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang ,  Chunlan Mo ,  Yong Pu ,  Chuanbing Xiong

发明人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang ,  Chunlan Mo ,  Yong Pu ,  Chuanbing Xiong

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： One embodiment of the present invention provides a gallium nitride (GaN)-based semiconductor light-emitting device (LED) which includes an n-type GaN-based semiconductor layer (n-type layer); an active layer; and a p-type GaN-based semiconductor layer (p-type layer). The n-type layer is epitaxially grown by using ammonia gas (NH3) as the nitrogen source prior to growing the active layer and the p-type layer. The flow rate ratio between group V and group III elements is gradually reduced from an initial value to a final value. The GaN-based LED exhibits a reverse breakdown voltage equal to or greater than 60 volts.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种包含n型GaN基半导体层（n型层）的基于氮化镓（GaN）的半导体发光器件（LED）。 活性层 和p型GaN类半导体层（p型层）。 在生长活性层和p型层之前，通过使用氨气（NH 3）作为氮源，外延生长n型层。 V组和III组元件之间的流量比从初始值逐渐减小到最终值。 GaN基LED呈现等于或大于60伏的反向击穿电压。

公开(公告)号：US07758695B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11713423

申请日：2007-03-02

申请人： Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Li Wang ,  Guping Wang ,  Fengyi Jiang

发明人： Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Li Wang ,  Guping Wang ,  Fengyi Jiang

IPC分类号： C30B1/02

CPC分类号： C23C14/541 ,  C23C14/0005 ,  C23C14/18 ,  C23C14/505 ,  Y10S117/917 ,  Y10T428/12382 ,  Y10T428/12528

摘要： One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a high-quality metal substrate. During operation, the method involves cleaning a polished single-crystal substrate. A metal structure of a predetermined thickness is then formed on a polished surface of the single-crystal substrate. The method further involves removing the single-crystal substrate from the metal structure without damaging the metal structure to obtain the high-quality metal substrate, wherein one surface of the metal substrate is a high-quality metal surface which preserves the smoothness and flatness of the polished surface of the single-crystal substrate.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了制造高品质金属基板的方法。 在操作过程中，该方法包括清洗抛光的单晶衬底。 然后在单晶衬底的抛光表面上形成预定厚度的金属结构。 该方法还包括从金属结构中去除单晶衬底而不损坏金属结构以获得高质量的金属衬底，其中金属衬底的一个表面是高质量的金属表面，其保持了平滑度和平坦度 抛光表面的单晶基板。