公开(公告)号：US20130240965A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13494333

申请日：2012-06-12

申请人： Eun-Shil Park ,  Ju-Hyun Myung

发明人： Eun-Shil Park ,  Ju-Hyun Myung

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/10885

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming at least one body having two sidewalls by vertically etching a semiconductor substrate, forming a protective layer having open parts that expose portions of the both sidewalls of the body, forming a buffer layer that fills the open parts, and forming a buried bit line in the body by siliciding the buffer layer and a portion of the body between the buffer layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：通过垂直蚀刻半导体衬底形成具有两个侧壁的至少一个主体，形成具有露出部分的保护层，该部分露出主体两侧壁的部分，形成填充开口部分的缓冲层 并且通过在缓冲层之间硅化缓冲层和身体的一部分而在体内形成掩埋位线。

公开(公告)号：US08836001B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13494333

申请日：2012-06-12

申请人： Eun-Shil Park ,  Ju-Hyun Myung

发明人： Eun-Shil Park ,  Ju-Hyun Myung

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/10885

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming at least one body having two sidewalls by vertically etching a semiconductor substrate, forming a protective layer having open parts that expose portions of the both sidewalls of the body, forming a buffer layer that fills the open parts, and forming a buried bit line in the body by siliciding the buffer layer and a portion of the body between the buffer layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：通过垂直蚀刻半导体衬底形成具有两个侧壁的至少一个主体，形成具有露出部分的保护层，该部分露出本体的两个侧壁的部分，形成填充开口部分的缓冲层 并且通过在缓冲层之间硅化缓冲层和身体的一部分而在体内形成掩埋位线。