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    Light-emitting device
    8.
    发明授权
    Light-emitting device 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US08941144B2

    公开(公告)日：2015-01-27

    申请号：US13901191

    申请日：2013-05-23

    申请人： Epistar Corporation

    发明人： Yi-Ming Chen ,  Tzu-Chieh Hsu ,  Jhih-Sian Wang ,  Chien-Fu Huang ,  Shih-I Chen

    IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42

    摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises: a substrate; and a first light-emitting unit comprising a plurality of light-emitting diodes electrically connected to each other on the substrate. A first light-emitting diode in the first light-emitting unit comprises a first semiconductor layer with a first conductivity-type, a second semiconductor layer with a second conductivity-type, and a light-emitting stack formed between the first and second semiconductor layers. The first light-emitting diode in the first light-emitting unit further comprises a first connecting layer on the first semiconductor layer for electrically connecting to a second light-emitting diode in the first light-emitting unit; a second connecting layer, separated from the first connecting layer, formed on the first semiconductor layer; and a third connecting layer on the second semiconductor layer for electrically connecting to a third light-emitting diode in the first light-emitting unit.

    摘要翻译： 本公开公开了一种发光装置。 发光装置包括：基板; 以及包括在所述基板上彼此电连接的多个发光二极管的第一发光单元。 第一发光单元中的第一发光二极管包括具有第一导电类型的第一半导体层，具有第二导电类型的第二半导体层和形成在第一和第二半导体层之间的发光叠层 。 第一发光单元中的第一发光二极管还包括在第一半导体层上的第一连接层，用于电连接到第一发光单元中的第二发光二极管; 与所述第一连接层分离的形成在所述第一半导体层上的第二连接层; 以及在第二半导体层上的第三连接层，用于电连接到第一发光单元中的第三发光二极管。

    Light-emitting diode array
    9.
    发明授权
    Light-emitting diode array 有权
    发光二极管阵列

    公开(公告)号：US09281443B2

    公开(公告)日：2016-03-08

    申请号：US13959891

    申请日：2013-08-06

    申请人： Epistar Corporation

    发明人： Tsung-Hsien Yang ,  Han-Min Wu ,  Jhih-Sian Wang ,  Yi-Ming Chen ,  Tzu-Ghieh Hsu

    IPC分类号： H01L29/207 ,  H01L21/00 ,  H01L33/08 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L29/0649 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/385 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

    摘要： The application provides a light-emitting diode array, including: a first light-emitting diode including a first area; a second area; a first isolation path between the first area and the second area, and the first isolation path including an electrode isolation layer; and an electrode contact layer covering the first area; a second light-emitting diode including a semiconductor stack layer; and a second electrical bonding pad on the semiconductor stack layer; and a second isolation path between the first light-emitting diode and the second light-emitting diode, wherein the second isolation path includes an electrical connecting structure electrically connected to the first light-emitting diode and the second light-emitting diode.

    摘要翻译： 本发明提供了一种发光二极管阵列，包括：包括第一区域的第一发光二极管; 第二个区域 在第一区域和第二区域之间的第一隔离路径，并且第一隔离路径包括电极隔离层; 以及覆盖所述第一区域的电极接触层; 包括半导体堆叠层的第二发光二极管; 和在所述半导体堆叠层上的第二电焊盘; 以及第一发光二极管和第二发光二极管之间的第二隔离路径，其中第二隔离路径包括与第一发光二极管和第二发光二极管电连接的电连接结构。