公开(公告)号：US09556363B2

公开(公告)日：2017-01-31

申请号：US14750271

申请日：2015-06-25

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Lin Fu ,  Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Wei Weng ,  Lei Liu ,  Alexei Leonov

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical-mechanical polishing composition includes colloidal silica abrasive particles having a chemical compound incorporated therein. The chemical compound may include a nitrogen-containing compound such as an aminosilane or a phosphorus-containing compound. Methods for employing such compositions include applying the composition to a semiconductor substrate to remove at least a portion of at least one of a copper, a copper barrier, and a dielectric layer.

摘要翻译： 化学机械抛光组合物包括其中掺入化学化合物的胶体二氧化硅磨料颗粒。 化合物可以包括含氮化合物如氨基硅烷或含磷化合物。 使用这种组合物的方法包括将组合物施加到半导体衬底以去除铜，铜屏障和电介质层中的至少一种的至少一部分。

公开(公告)号：US20150376463A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：US14750271

申请日：2015-06-25

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Lin Fu ,  Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Wei Weng ,  Lei Liu ,  Alexei Leonov

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical-mechanical polishing composition includes colloidal silica abrasive particles having a chemical compound incorporated therein. The chemical compound may include a nitrogen-containing compound such as an aminosilane or a phosphorus-containing compound. Methods for employing such compositions include applying the composition to a semiconductor substrate to remove at least a portion of at least one of a copper, a copper barrier, and a dielectric layer.

摘要翻译： 化学机械抛光组合物包括其中掺入化学化合物的胶体二氧化硅磨料颗粒。 化合物可以包括含氮化合物如氨基硅烷或含磷化合物。 使用这种组合物的方法包括将组合物施加到半导体衬底以去除铜，铜屏障和电介质层中的至少一种的至少一部分。