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    Method of Making a Multicomponent Film
    1.
    发明申请
    Method of Making a Multicomponent Film 审中-公开
    制作多组分薄膜的方法

    公开(公告)号：US20140024173A1

    公开(公告)日：2014-01-23

    申请号：US14032985

    申请日：2013-09-20

    Applicant: Air Products and Chemicals, Inc.

    Inventor： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

    IPC: H01L21/06

    CPC classification number: H01L21/06 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0322 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y02E10/541

    Abstract: Described herein is a method and liquid-based precursor composition for depositing a multicomponent film. In one embodiment, the method and compositions described herein are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

    Abstract translation: 本文描述了一种用于沉积多组分膜的方法和基于液体的前体组合物。 在一个实施方案中，本文所述的方法和组合物用于沉积锗碲（GeTe），锑碲（SbTe），锑锗（SbGe），锗锑碲（GST），铟锑碲（IST），银铟锑碲 （AIST），碲化镉（CdTe），硒化镉（CdSe），碲化锌（ZnTe），硒化锌（ZnSe），铜铟镓硒（CIGS）膜或其他用于相变记忆和光伏的碲和硒基金属化合物 设备。

    Precursors For GST Films In ALD/CVD Processes
    4.
    发明申请
    Precursors For GST Films In ALD/CVD Processes 审中-公开
    ALD / CVD过程中GST膜的前体

    公开(公告)号：US20150140790A1

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：US14603878

    申请日：2015-01-23

    Applicant: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

    Inventor： Manchao Xiao ,  Iain Buchanan ,  Xinjian Lei

    IPC: H01L45/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/18

    CPC classification number: H01L45/1616 ,  C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144

    Abstract: The present invention is a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy (GST) or germanium-bismuth-tellurium (GBT) film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film. The invention is also related to making antimony alloy with other elements using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony or silylbismuth precursor is used as a source of antimony or bismuth.

    Abstract translation: 本发明是使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制造锗 - 锑 - 碲合金（GST）或锗 - 铋 - 碲（GBT）膜的方法，其中甲硅烷基锑前体是 用作合金膜的锑源。 本发明还涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制备其它元素的锑合金，其中使用甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体作为锑或铋的来源。

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