公开(公告)号：US07557374B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11627219

申请日：2007-01-25

申请人： Yan-Ru Lin ,  Song-Yeu Tsai

发明人： Yan-Ru Lin ,  Song-Yeu Tsai

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： C09K11/623 ,  C09K11/672

摘要： An embodiment of the invention provides a substrate. The substrate comprises a single crystal substrate. An epitaxial buffer film is on the single crystal substrate. An epitaxial ZnGa2O4 is on the epitaxial buffer film.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案提供了一种基材。 衬底包括单晶衬底。 外延缓冲膜位于单晶衬底上。 外延ZnGa 2 O 4在外延缓冲膜上。

公开(公告)号：US20090004834A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US12207364

申请日：2008-09-09

申请人： Yan-Ru Lin ,  Song-Yeu Tsai

发明人： Yan-Ru Lin ,  Song-Yeu Tsai

IPC分类号： H01L21/363

CPC分类号： C09K11/623 ,  C09K11/672

摘要： An embodiment of the invention provides a substrate. The substrate comprises a single crystal substrate. An epitaxial buffer film is on the single crystal substrate. An epitaxial ZnGa2O4 is on the epitaxial buffer film.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案提供了一种基材。 衬底包括单晶衬底。 外延缓冲膜位于单晶衬底上。 外延ZnGa 2 O 4在外延缓冲膜上。

公开(公告)号：US20080061297A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11627219

申请日：2007-01-25

申请人： Yan-Ru Lin ,  Song-Yeu Tsai

发明人： Yan-Ru Lin ,  Song-Yeu Tsai

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： C09K11/623 ,  C09K11/672

摘要： An embodiment of the invention provides a substrate. The substrate comprises a single crystal substrate. An epitaxial buffer film is on the single crystal substrate. An epitaxial ZnGa2O4 is on the epitaxial buffer film.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案提供了一种基材。 衬底包括单晶衬底。 外延缓冲膜位于单晶衬底上。 在外延缓冲膜上具有外延的ZnGa 2 O 4 O 4。