公开(公告)号：US08524511B1

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13571675

申请日：2012-08-10

Applicant: Tom Zhong ,  Vinh Lam ,  Zhongjian Teng

Inventor： Tom Zhong ,  Vinh Lam ,  Zhongjian Teng

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: A CMOS device is provided in a substrate. A magnetic tunnel junction (MTJ) is provided over the CMOS device and connected to the CMOS device by a metal ring contact wherein a dielectric or other filling material forms the center of the metal ring contact and wherein a bottom of the metal ring contact underlying said filling material is metal.

Abstract translation: 在衬底中提供CMOS器件。 磁性隧道结（MTJ）设置在CMOS器件上并通过金属环接触连接到CMOS器件，其中电介质或其它填充材料形成金属环接触的中心，并且其中金属环的底部接触在所述 填充材料是金属。