公开(公告)号：US08663736B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13143621

申请日：2010-01-07

申请人： Jae Sun Jung ,  Su Hyong Yun ,  Minchan Kim ,  Sung Won Han ,  Yong Joo Park ,  Su Jung Shin ,  Ki Whan Sung ,  Sang Kyung Lee

发明人： Jae Sun Jung ,  Su Hyong Yun ,  Minchan Kim ,  Sung Won Han ,  Yong Joo Park ,  Su Jung Shin ,  Ki Whan Sung ,  Sang Kyung Lee

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F7/30

CPC分类号： C07F7/30 ,  C07F7/003

摘要： Provided is a germanium complex represented by Chemical Formula 1 wherein Y1 and Y2 are independently selected from R3, NR4R5 or OR6, and R1 through R6 independently represent (Ci-C7) alkyl. The provided germanium complex with an amidine derivative ligand is thermally stable, is highly volatile, and does not include halogen components. Therefore, it may be usefully used as a precursor to produce high-quality germanium thin film or germanium-containing compound thin film by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 提供了由化学式1表示的锗络合物，其中Y 1和Y 2独立地选自R 3，NR 4 R 5或OR 6，并且R 1至R 6独立地表示（C 1 -C 7）烷基。 提供的具有脒衍生物配体的锗络合物是热稳定的，是高挥发性的，并且不包括卤素组分。 因此，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）可有效地用作生产高质量锗薄膜或含锗化合物薄膜的前体。

公开(公告)号：US20110268881A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US13143621

申请日：2010-01-07

申请人： Jae Sun Jung ,  Su Hyong Yun ,  Minchan Kim ,  Sung Won Han ,  Yong Joo Park ,  Su Jung Shin ,  Ki Whan Sung ,  Sang Kyung Lee

发明人： Jae Sun Jung ,  Su Hyong Yun ,  Minchan Kim ,  Sung Won Han ,  Yong Joo Park ,  Su Jung Shin ,  Ki Whan Sung ,  Sang Kyung Lee

IPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/00

CPC分类号： C07F7/30 ,  C07F7/003

摘要： Provided is a germanium complex represented by Chemical Formula 1 wherein Y1 and Y2 are independently selected from R3, NR4R5 or OR6, and R1 through R6 independently represent (Ci-C7) alkyl. The provided germanium complex with an amidine derivative ligand is thermally stable, is highly volatile, and does not include halogen components. Therefore, it may be usefully used as a precursor to produce high-quality germanium thin film or germanium-containing compound thin film by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 提供了由化学式1表示的锗络合物，其中Y 1和Y 2独立地选自R 3，NR 4 R 5或OR 6，并且R 1至R 6独立地表示（C 1 -C 7）烷基。 提供的具有脒衍生物配体的锗络合物是热稳定的，是高挥发性的，并且不包括卤素组分。 因此，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）可有效地用作生产高质量锗薄膜或含锗化合物薄膜的前体。