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    Domain wall assisted spin torque transfer magnetresistive random access memory structure
    1.
    发明授权
    Domain wall assisted spin torque transfer magnetresistive random access memory structure 有权
    域壁辅助自旋转矩传递磁阻随机存取存储器结构

    公开(公告)号：US08648401B2

    公开(公告)日：2014-02-11

    申请号：US12884351

    申请日：2010-09-17

    申请人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuo-Feng Huang ,  Ming-Te Liu ,  Chun-Jung Lin ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen

    发明人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuo-Feng Huang ,  Ming-Te Liu ,  Chun-Jung Lin ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： A semiconductor memory device includes a first ferromagnetic layer magnetically pinned and positioned within a first region of a substrate; a second ferromagnetic layer approximate the first ferromagnetic layer; and a barrier layer interposed between the first ferromagnetic layer and the first portion of the second ferromagnetic layer. The second ferromagnetic layer includes a first portion being magnetically free and positioned within the first region; a second portion magnetically pinned to a first direction and positioned within a second region of the substrate, the second region contacting the first region from a first side; and a third portion magnetically pinned to a second direction and positioned within a third region of the substrate, the third region contacting the first region from a second side.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括磁性固定并位于衬底的第一区域内的第一铁磁层; 第二铁磁层近似第一铁磁层; 以及介于所述第一铁磁层与所述第二铁磁层的所述第一部分之间的阻挡层。 第二铁磁层包括无磁性的第一部分，并且位于第一区域内; 第二部分，磁性地固定在第一方向上并且位于所述基板的第二区域内，所述第二区域从第一侧接触所述第一区域; 以及第三部分，其磁性地固定到第二方向并且位于所述基板的第三区域内，所述第三区域从所述第二侧面接触所述第一区域。

    TUNNELING MAGNETO-RESISTOR REFERENCE UNIT AND MAGNETIC FIELD SENSING CIRCUIT USING THE SAME
    3.
    发明申请
    TUNNELING MAGNETO-RESISTOR REFERENCE UNIT AND MAGNETIC FIELD SENSING CIRCUIT USING THE SAME 有权
    隧道磁阻电阻器参考单元和使用该电路的磁场感测电路

    公开(公告)号：US20130168788A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：US13600795

    申请日：2012-08-31

    申请人： Yung-Hung Wang ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuei-Hung Shen ,  Keng-Ming Kuo

    发明人： Yung-Hung Wang ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuei-Hung Shen ,  Keng-Ming Kuo

    IPC分类号： H01L43/06

    CPC分类号： G01R33/098

    摘要： A tunneling magneto-resistor reference unit for sensing a magnetic field includes a first MTJ (magnetic tunneling junction) device and a second MTJ device connected in parallel. The first MTJ device has a first pinned layer having a first pinned magnetization at a pinned direction, and a first free layer having a first free magnetization parallel to the pinned direction in a zero magnetic field. The second MTJ device has a second pinned layer having a second pinned magnetization at the pinned direction, and a second free layer having a second free magnetization anti-parallel to the pinned direction in a zero magnetic field. Major axes of the first and second MTJ devices have an angle of 45 degrees to a direction of an external magnetic field when sensed.

    摘要翻译： 用于感测磁场的隧道磁阻电阻器参考单元包括并联连接的第一MTJ（磁性隧道结）装置和第二MTJ装置。 第一MTJ装置具有在销钉方向上具有第一钉扎磁化的第一固定层和在零磁场中具有平行于钉扎方向的第一自由磁化的第一自由层。 第二MTJ装置具有在钉扎方向上具有第二钉扎磁化的第二钉扎层和在零磁场中具有与销钉方向反平行的第二自由磁化的第二自由层。 第一和第二MTJ装置的主轴在感测时具有与外部磁场方向成45度的角度。

    Tunneling magneto-resistor reference unit and magnetic field sensing circuit using the same
    4.
    发明授权
    Tunneling magneto-resistor reference unit and magnetic field sensing circuit using the same 有权
    隧道式磁阻电阻参考单元和使用该参考单元的磁场感测电路

    公开(公告)号：US08957487B2

    公开(公告)日：2015-02-17

    申请号：US13600795

    申请日：2012-08-31

    申请人： Yung-Hung Wang ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuei-Hung Shen ,  Keng-Ming Kuo

    发明人： Yung-Hung Wang ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuei-Hung Shen ,  Keng-Ming Kuo

    IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/14

    CPC分类号： G01R33/098

    摘要： A tunneling magneto-resistor reference unit for sensing a magnetic field includes a first MTJ (magnetic tunneling junction) device and a second MTJ device connected in parallel. The first MTJ device has a first pinned layer having a first pinned magnetization at a pinned direction, and a first free layer having a first free magnetization parallel to the pinned direction in a zero magnetic field. The second MTJ device has a second pinned layer having a second pinned magnetization at the pinned direction, and a second free layer having a second free magnetization anti-parallel to the pinned direction in a zero magnetic field. Major axes of the first and second MTJ devices have an angle of 45 degrees to a direction of an external magnetic field when sensed.

    摘要翻译： 用于感测磁场的隧道磁阻电阻器参考单元包括并联连接的第一MTJ（磁性隧道结）装置和第二MTJ装置。 第一MTJ装置具有在销钉方向上具有第一钉扎磁化的第一固定层和在零磁场中具有平行于钉扎方向的第一自由磁化的第一自由层。 第二MTJ装置具有在钉扎方向上具有第二钉扎磁化的第二钉扎层和在零磁场中具有与销钉方向反平行的第二自由磁化的第二自由层。 第一和第二MTJ装置的主轴在感测时具有与外部磁场方向成45度的角度。

    DOMAIN WALL ASSISTED SPIN TORQUE TRANSFER MAGNETRESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURE
    5.
    发明申请
    DOMAIN WALL ASSISTED SPIN TORQUE TRANSFER MAGNETRESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURE 有权
    域壁辅助转子扭矩传递磁阻随机访问存储器结构

    公开(公告)号：US20120068279A1

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：US12884351

    申请日：2010-09-17

    申请人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuo-Feng Huang ,  Ming-Te Liu ,  Chun-Jung Lin ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen

    发明人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuo-Feng Huang ,  Ming-Te Liu ,  Chun-Jung Lin ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： A semiconductor memory device includes a first ferromagnetic layer magnetically pinned and positioned within a first region of a substrate; a second ferromagnetic layer approximate the first ferromagnetic layer; and a barrier layer interposed between the first ferromagnetic layer and the first portion of the second ferromagnetic layer. The second ferromagnetic layer includes a first portion being magnetically free and positioned within the first region; a second portion magnetically pinned to a first direction and positioned within a second region of the substrate, the second region contacting the first region from a first side; and a third portion magnetically pinned to a second direction and positioned within a third region of the substrate, the third region contacting the first region from a second side.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括磁性固定并位于衬底的第一区域内的第一铁磁层; 第二铁磁层近似第一铁磁层; 以及介于所述第一铁磁层与所述第二铁磁层的所述第一部分之间的阻挡层。 第二铁磁层包括无磁性的第一部分，并且位于第一区域内; 第二部分，磁性地固定在第一方向上并且位于所述基板的第二区域内，所述第二区域从所述第一侧面接触所述第一区域; 以及第三部分，其磁性地固定到第二方向并且位于所述基板的第三区域内，所述第三区域从所述第二侧面接触所述第一区域。