公开(公告)号：US11654227B1

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：US16905968

申请日：2020-06-19

申请人： Sang In Han ,  Eugene Han ,  Rebecca Han

发明人： Sang In Han ,  Eugene Han ,  Rebecca Han

IPC分类号： A61M1/00 ,  A61B17/24 ,  A61B90/30

CPC分类号： A61M1/7411 ,  A61B17/24 ,  A61B90/30 ,  A61B2017/246 ,  A61B2217/005 ,  A61M2205/587 ,  A61M2210/0618 ,  A61M2210/0662

摘要： A suction device that incorporates liquid to form a wet seal with a foreign body and/or debris, enabling an effective contact for extraction from canals, passages, and other bodily areas of a patient. A liquid chamber is formed between a distal nozzle and a distal end of a main body. The liquid chamber acts as a reservoir to facilitate a wet seal at the distal end of the embodiment. A vacuum provides suction through the embodiment, and a pressure release outlet is incorporated into the main body to allow for variation of suction force, affecting the moisture coverage presented to the area of extraction. Nozzle tip attachments may be affixed to the distal nozzle to further facilitate foreign body extraction. Other embodiments are described and shown.

公开(公告)号：US06811936B2

公开(公告)日：2004-11-02

申请号：US10334297

申请日：2002-12-31

申请人： Steven Smith ,  Sang-In Han

发明人： Steven Smith ,  Sang-In Han

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/62 ,  G03F7/70983

摘要： A pellicle membrane structure (800) is made by a process that includes depositing (115) a etch mask layer (110) on the backside of the semiconductor wafer, deposting (120) a first pellicle membrane protection layer (205) on a frontside of the semiconductor wafer, depositing (125) a layer of membrane material (210) that is preferably SiOF on the first membrane protection layer, and depositing (130) a second pellicle membrane protection layer (215) on the membrane material layer, forming a pattern (140) for an opening (410) in the semiconductor, and etching (150) to form the opening. Oxygen plasma (155) is then used to remove carbon from the exposed portions of the pellicle membrane protection layers, which are preferably SiCN, which in the preferable embodiment changes the exposed surfaces to SiOF, thereby forming a thin SiOF membrane (715) over the opening.

摘要翻译： 通过包括在半导体晶片的背面沉积（115）蚀刻掩模层（110）的方法制造防护薄膜结构（800），将第一防护薄膜保护层（205） 半导体晶片，在第一膜保护层上沉积（125）优选SiOF的膜材料层（210），并在膜材料层上沉积（130）第二防护膜保护层（215），形成图案 （140），用于在半导体中的开口（410），以及蚀刻（150）以形成开口。 然后使用氧等离子体（155）从防护薄膜保护层的暴露部分除去碳，其优选为SiCN，其在优选的实施方案中将暴露表面改变为SiOF，由此在该膜上形成薄的SiOF膜（715） 开放

公开(公告)号：US06653053B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09940241

申请日：2001-08-27

申请人： Pawitter Mangat ,  Sang-In Han

发明人： Pawitter Mangat ,  Sang-In Han

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/72

摘要： A desirable pattern is formed in a photoresist layer that overlies a semiconductor wafer using an attenuating phase shift reflective mask. This mask is formed by consecutively depositing an attenuating phase shift layer, a buffer layer and a repairable layer. The repairable layer is patterned according to the desirable pattern. The repairable layer is inspected to find areas in which the desirable pattern is not achieved. The repairable layer is then repaired to achieve the desirable pattern with the buffer layer protecting the attenuating phase shift layer. The desirable pattern is transferred to the buffer layer and then transferred to the attenuating phase shift layer to achieve the attenuating phase shift reflective mask. Radiation is reflected off the attenuating phase shift reflective mask to the photoresist layer to expose it with the desirable pattern.

摘要翻译： 在使用衰减相移反射掩模的半导体晶片的光致抗蚀剂层上形成期望的图案。 该掩模通过连续沉积衰减相移层，缓冲层和可修复层而形成。 根据期望的图案对可修复层进行图案化。 检查可修复层以找到未实现所需图案的区域。 然后修复可修复层以实现期望的图案，其中缓冲层保护衰减相移层。 将期望的图案转移到缓冲层，然后转移到衰减相移层，以实现衰减相移反射掩模。 辐射从衰减相移反射掩模反射到光致抗蚀剂层，以使其具有期望的图案。

公开(公告)号：US06986974B2

公开(公告)日：2006-01-17

申请号：US10688589

申请日：2003-10-16

申请人： Sang-In Han ,  Scott D. Hector ,  Pawitter Mangat

发明人： Sang-In Han ,  Scott D. Hector ,  Pawitter Mangat

IPC分类号： G01F9/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062

摘要： Methods and apparatus are provided for extreme ultraviolet phase shift masks. The apparatus comprises a substrate, a reflectance region, and an attenuating phase shifter. The reflectance region overlies the substrate. The attenuating phase shifter overlies the reflectance region. The attenuating phase shifter includes a plurality of openings that expose portions of the reflectance region. The attenuating phase shifter attenuates radiation through a combination of absorption and destructive interference. The method comprises projecting radiation having a wavelength less than 40 nanometers towards a mask having a plurality of openings through an attenuating phase shifter. The plurality of openings expose a reflectance region in the mask. The attenuating phase shifter is less than 700 angstroms thick. Radiation impinging on the reflectance region exposed by said plurality of openings is reflected whereas radiation impinging on the attenuating phase shifter is attenuated and shifted in phase. The attenuating phase shifter attenuates using absorption and destructive interference.

摘要翻译： 为极紫外相移掩模提供了方法和装置。 该装置包括基板，反射区域和衰减移相器。 反射区域覆盖基板。 衰减移相器覆盖反射区域。 衰减移相器包括暴露反射区域的部分的多个开口。 衰减移相器通过吸收和相消干扰的组合衰减辐射。 该方法包括通过衰减移相器将具有小于40纳米波长的辐射投射到具有多个开口的掩模。 多个开口暴露掩模中的反射区域。 衰减移相器的厚度小于700埃。 照射在由所述多个开口暴露的反射区域上的辐射被反射，而入射到衰减移相器上的辐射被衰减并相位移动。 衰减移相器使用吸收和相消干涉衰减。

公开(公告)号：US06673520B2

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US09939184

申请日：2001-08-24

申请人： Sang-in Han ,  Pawitter Mangat ,  James R. Wasson ,  Scott D. Hector

发明人： Sang-in Han ,  Pawitter Mangat ,  James R. Wasson ,  Scott D. Hector

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/84

摘要： A desired pattern is formed in a photoresist layer that overlies a semiconductor wafer using a reflective mask. This mask is formed by consecutively depositing a reflective layer, an absorber layer and an anti-reflective (ARC) layer. The ARC layer is patterned according to the desired pattern. The ARC layer is inspected to find areas in which the desired pattern is not achieved. The ARC layer is then repaired to achieve the desired pattern with the absorber layer protecting the reflective layer. The desired pattern is transferred to the absorber layer to reveal the reflective portion of mask. Radiation is reflected off the reflective mask to the semiconductor wafer to expose the photoresist layer overlying the semiconductor wafer with the desired pattern.

摘要翻译： 在使用反射掩模覆盖在半导体晶片上的光致抗蚀剂层中形成期望的图案。 该掩模通过连续沉积反射层，吸收层和抗反射（ARC）层形成。 根据所需的图案对ARC层进行图案化。 检查ARC层以找到未实现所需图案的区域。 然后修复ARC层以实现期望的图案，其中吸收层保护反射层。 将期望的图案转移到吸收层以露出掩模的反射部分。 辐射从反射掩模反射到半导体晶片，以以期望的图案露出覆盖半导体晶片的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US06960509B1

公开(公告)日：2005-11-01

申请号：US10883182

申请日：2004-06-30

申请人： Sang-In Han ,  Kurt W. Eisenbeiser ,  Bing Lu

发明人： Sang-In Han ,  Kurt W. Eisenbeiser ,  Bing Lu

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/66818

摘要： The present invention provides a method of fabricating a silicon fin useful in preparing FinFET type semiconductor structures. The method is particularly useful for creating fins with a width and smoothness appropriate for sub-50 nm type gates. The method begins with a silicon fin prepared by lithographic means from an SOI type structure such that the fin is larger in dimension, particularly width, than is desired in the final fin. If desired the silicon fin can include a nitride cap. A conformal diffusion layer, such as of silicon dioxide, is then deposited onto the fin and silicon dioxide substrate. A PECVD deposition using TEOS gas is one method to deposit the diffusion layer. The coated fin is then heated and exposed to oxygen. The oxygen diffuses through the diffusion layer and converts a portion of the silicon material to silicon dioxide. This oxidation continues until a desired amount of silicon material is converted to SiO2 such that the remaining silicon has the desired dimensions. The silicon fin is then exposed through wet etching steps that remove the silicon dioxide coating.

摘要翻译： 本发明提供一种制造用于制备FinFET型半导体结构的硅鳍的方法。 该方法对于产生适合于50nm以下类型的门的宽度和平滑度的翅片特别有用。 该方法从由SOI型结构的光刻装置制备的硅片开始，使得翅片的尺寸更大，特别是在最终鳍片中所需的宽度。 如果需要，硅翅片可以包括氮化物盖。 然后将诸如二氧化硅的共形扩散层沉积到翅片和二氧化硅衬底上。 使用TEOS气体的PECVD沉积是沉积扩散层的一种方法。 然后将涂覆的翅片加热并暴露于氧气。 氧扩散通过扩散层并将一部分硅材料转化为二氧化硅。 该氧化继续进行，直到所需量的硅材料转化为SiO 2，使得剩余的硅具有所需的尺寸。 然后通过去除二氧化硅涂层的湿蚀刻步骤将硅片暴露。

公开(公告)号：US07282307B2

公开(公告)日：2007-10-16

申请号：US10872057

申请日：2004-06-18

申请人： Scott D. Hector ,  Sang-In Han

发明人： Scott D. Hector ,  Sang-In Han

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/32 ,  G03F1/34

摘要： An EUV mask (10, 309) includes an opening (26) that helps to attenuate and phase shift extreme ultraviolet radiation using a subtractive rather than additive method. A first embedded layer (20) and a second embedded layer (21) may be provided between a lower multilayer reflective stack (14) and an upper multilayer reflective stack (22) to ensure an appropriate and accurate depth of the opening (26), while allowing for defect inspection of the EUV mask (10, 309) and optional defect repair. An optional ARC layer (400) may be deposited in region (28) to reduce the amount of reflection within dark region (28). Alternately, a single embedded layer of hafnium oxide, zirconium oxide, tantalum silicon oxide, tantalum oxide, or the like, may be used in place of embedded layers (20, 21). Optimal thicknesses and locations of the various layers are described.

摘要翻译： EUV掩模（10,309）包括有助于使用减法而不是加法方法衰减和相移极紫外辐射的开口（26）。 第一嵌入层（20）和第二嵌入层（21）可以设置在下多层反射叠层（14）和上层多层反射叠层（22）之间，以确保开口（26）的适当且准确的深度， 同时允许对EUV面罩（10,309）的缺陷检查和可选的缺陷修复。 可以在区域（28）中沉积可选的ARC层（400）以减少暗区域（28）内的反射量。 或者，可以使用氧化铪，氧化锆，氧化钽，氧化钽等的单个嵌入层来代替嵌入层（20,21）。 描述各层的最佳厚度和位置。

公开(公告)号：US20050282072A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US10872057

申请日：2004-06-18

申请人： Scott Hector ,  Sang-In Han

发明人： Scott Hector ,  Sang-In Han

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G21K5/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/32 ,  G03F1/34

摘要： An EUV mask (10, 309) includes an opening (26) that helps to attenuate and phase shift extreme ultraviolet radiation using a subtractive rather than additive method. A first embedded layer (20) and a second embedded layer (21) may be provided between a lower multilayer reflective stack (14) and an upper multilayer reflective stack (22) to ensure an appropriate and accurate depth of the opening (26), while allowing for defect inspection of the EUV mask (10, 309) and optional defect repair. An optional ARC layer (400) may be deposited in region (28) to reduce the amount of reflection within dark region (28). Alternately, a single embedded layer of hafnium oxide, zirconium oxide, tantalum silicon oxide, tantalum oxide, or the like, may be used in place of embedded layers (20, 21). Optimal thicknesses and locations of the various layers are described.

摘要翻译： EUV掩模（10,309）包括有助于使用减法而不是加法方法衰减和相移极紫外辐射的开口（26）。 第一嵌入层（20）和第二嵌入层（21）可以设置在下多层反射叠层（14）和上层多层反射叠层（22）之间，以确保开口（26）的适当且准确的深度， 同时允许对EUV面罩（10,309）的缺陷检查和可选的缺陷修复。 可以在区域（28）中沉积可选的ARC层（400）以减少暗区域（28）内的反射量。 或者，可以使用氧化铪，氧化锆，氧化钽，氧化钽等的单个嵌入层来代替嵌入层（20,21）。 描述各层的最佳厚度和位置。

公开(公告)号：US06477898B1

公开(公告)日：2002-11-12

申请号：US09610501

申请日：2000-07-06

申请人： Sang-In Han ,  Pawitter Mangat

发明人： Sang-In Han ,  Pawitter Mangat

IPC分类号： G01N2906

CPC分类号： G03F1/20 ,  G01N29/12 ,  G01N29/2418 ,  G01N29/348 ,  G01N2291/0237 ,  G03F1/84

摘要： A method and apparatus for determining stress levels of membrane masks that may be used in membrane-based lithographic techniques is presented. A piezoelectric plate (30) is used to induce vibrations into the membrane mask (35), where the frequency and amplitude of the vibrations induced in the membrane layer (50) are optically sensed. By comparing the stimulus applied to the piezoelectric plate (30) with the response sensed optically in a gain phase analyzer (80), a frequency graph (110) associated with the membrane layer (50) is constructed such that resonant frequencies are easily determined. These resonant frequencies can then be used to calculate the stress associated with the membrane layer (50).

摘要翻译： 提出了一种用于确定可用于基于膜的光刻技术中的膜掩模的应力水平的方法和装置。 使用压电板（30）将振动引入膜掩模（35），其中在膜层（50）中感应的振动的频率和振幅被光学感测。 通过将施加到压电板（30）的刺激与在增益相位分析器（80）中光学感测的响应进行比较，构造与膜层（50）相关联的频率图（110），使得谐振频率容易确定。 然后可以使用这些谐振频率来计算与膜层（50）相关联的应力。

公开(公告)号：US06986971B2

公开(公告)日：2006-01-17

申请号：US10290693

申请日：2002-11-08

申请人： Sang-In Han ,  Scott Daniel Hector ,  Pawitter J. S. Mangat

发明人： Sang-In Han ,  Scott Daniel Hector ,  Pawitter J. S. Mangat

IPC分类号： G01F9/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

摘要： An EUV mask (10) includes an opening (26) that helps to attenuate and phase shift extreme ultraviolet radiation using a subtractive rather than additive method. An etch stop layer (20) may be provided between a lower multilayer reflective stack (14) and an upper multilayer reflective stack (22) to ensure an appropriate and accurate depth of the opening. An absorber layer (32) may be deposited within the opening to sufficiently reduce the amount of reflection within dark region (30). Optimal thicknesses and locations of the various layers are described.

摘要翻译： EUV掩模（10）包括有助于使用减法而不是加法方法衰减和相移极紫外辐射的开口（26）。 可以在下多层反射叠层（14）和上层多层反射叠层（22）之间提供蚀刻停止层（20），以确保开口的适当且准确的深度。 吸收层（32）可以沉积在开口内，以充分减少暗区（30）内的反射量。 描述各层的最佳厚度和位置。