公开(公告)号：US20060141786A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US10545094

申请日：2004-02-10

Applicant: Hendrik Boezen ,  Sander Den Hartog ,  Patrick French ,  Kofi Makinwa

Inventor： Hendrik Boezen ,  Sander Den Hartog ,  Patrick French ,  Kofi Makinwa

IPC: B81B7/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/302

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00484 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0735 ,  G01P15/0802

Abstract: A method of manufacturing an electronic device, particularly an acceleration sensor, comprising providing a wafer (10) having first and second semiconductor layers (12, 16) with a buried oxide layer (14) therebetween and forming a semiconductor device (such as a detection circuit) on one side of the wafer (10) in the first semiconductor layer (16) and a micro-electromechanical systems (MEMS) device on the opposite side of the wafer (10) in the second semi-conductor layer (12).

Abstract translation: 一种制造电子装置，特别是加速度传感器的方法，包括提供具有第一和第二半导体层（12,16）的晶片（10），其间具有掩埋氧化物层（14），并形成半导体器件（例如检测 电路）在第一半导体层（16）中的晶片（10）的一侧和在第二半导体层（12）中的晶片（10）的相对侧上的微机电系统（MEMS）器件。