公开(公告)号：US20070211402A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11674843

申请日：2007-02-14

申请人： Masayuki Sawataishi ,  Akitaka Shimuzu ,  Eiichi Nishimura

发明人： Masayuki Sawataishi ,  Akitaka Shimuzu ,  Eiichi Nishimura

IPC分类号： H01T23/00

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H02N13/00

摘要： A substrate processing apparatus carrying out processing on a substrate, which enables attachment of particles to a surface of a substrate to be prevented. A substrate processing apparatus comprises a housing chamber in which the substrate is housed, and a stage that is disposed in the housing chamber and on which the substrate is mounted. The stage having in an upper portion thereof an electrostatic chuck comprising an insulating member having an electrode plate therein, and the electrode plate having a DC power source connected thereto. The DC power source applies a negative voltage to the electrode plate when the substrate is to be attracted by the electrostatic chuck.

摘要翻译： 一种在基板上进行处理的基板处理装置，其能够将颗粒附着到待防止的基板的表面。 基板处理装置包括其中容纳基板的容纳室，以及设置在壳体室中并且其上安装有基板的台。 所述平台的上部具有静电吸盘，所述静电卡盘包括其中具有电极板的绝缘构件，所述电极板具有与其连接的直流电源。 当基板被静电卡盘吸引时，直流电源向电极板施加负电压。

公开(公告)号：US08282844B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US11832382

申请日：2007-08-01

申请人： Akiteru Ko ,  Hiroyuki Takahashi ,  Masayuki Sawataishi

发明人： Akiteru Ko ,  Hiroyuki Takahashi ,  Masayuki Sawataishi

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/67069

摘要： A method and system of etching a metal nitride, such as titanium nitride, is described. The etching process comprises introducing a process composition having a halogen containing gas, such as Cl2, HBr, or BCl3, and a hydrocarbon gas having the chemical formula CxHy, where x and y are equal to unity or greater.

摘要翻译： 描述了蚀刻诸如氮化钛的金属氮化物的方法和系统。 蚀刻方法包括引入具有含卤素气体的工艺组合物，例如Cl 2，HBr或BCl 3，以及具有化学式C x H y的烃气体，其中x和y等于或大于1。

公开(公告)号：US20050070111A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10943983

申请日：2004-09-20

申请人： Masato Kushibiki ,  Masayuki Sawataishi ,  Akitaka Shimizu

发明人： Masato Kushibiki ,  Masayuki Sawataishi ,  Akitaka Shimizu

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139

摘要： An etching method of the present invention includes a first and a second process. In the first process, pattern widths of a pre-patterned mask layer are increased by depositing plasma reaction products on sidewalls of the mask layer. In the second process, a layer to be etched is etched by using the mask layer as a mask having increased the pattern widths. Therefore, mask layers having different pattern densities exist in the same wafer and pattern widths of mask layers patterned through a photolithography process are uneven according to pattern densities, each pattern width of the mask layers can be made uniform. Accordingly, the pattern widths of the layer can be made uniform over an entire wafer.

摘要翻译： 本发明的蚀刻方法包括第一和第二工艺。 在第一过程中，通过在掩模层的侧壁上沉积等离子体反应产物来增加预图案化掩模层的图案宽度。 在第二过程中，通过使用掩模层作为具有增加图案宽度的掩模来蚀刻待蚀刻的层。 因此，具有不同图案密度的掩模层存在于相同的晶片中，并且通过光刻工艺图案化的掩模层的图案宽度根据图案密度不均匀，可以使掩模层的每个图案宽度均匀。 因此，可以在整个晶片上使层的图案宽度均匀。

公开(公告)号：US20100206841A2

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US11832382

申请日：2007-08-01

申请人： Akiteru KO ,  Hiroyuki TAKAHASHI ,  Masayuki SAWATAISHI

发明人： Akiteru KO ,  Hiroyuki TAKAHASHI ,  Masayuki SAWATAISHI

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/67069

摘要： A method and system of etching a metal nitride, such as titanium nitride is described. The etching process comprises introducing a process composition having a halogen containing gas, such as Cl2, HBr, or BCl3, and a hydrocarbon gas having the chemical formula CxHy, where x and y are equal to unity or greater.

摘要翻译： 描述了蚀刻诸如氮化钛的金属氮化物的方法和系统。 蚀刻方法包括引入具有含卤素气体的工艺组合物，例如Cl 2，HBr或BCl 3，以及具有化学式C x H y的烃气体，其中x和y等于或大于1。

公开(公告)号：US20090032495A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US11832382

申请日：2007-08-01

申请人： Akiteru KO ,  Masayuki SAWATAISHI ,  Hiroyuki TAKAHASHI

发明人： Akiteru KO ,  Masayuki SAWATAISHI ,  Hiroyuki TAKAHASHI

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/67069

摘要： A method and system of etching a metal nitride, such as titanium nitride, is described. The etching process comprises introducing a process composition having a halogen containing gas, such as Cl2, HBr, or BCl3, and a hydrocarbon gas having the chemical formula CxHy, where x and y are equal to unity or greater.

摘要翻译： 描述了蚀刻诸如氮化钛的金属氮化物的方法和系统。 蚀刻方法包括引入具有含卤素气体的工艺组合物，例如Cl 2，HBr或BCl 3，以及具有化学式C x H y的烃气体，其中x和y等于或大于1。

公开(公告)号：US07256135B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10943983

申请日：2004-09-20

申请人： Masato Kushibiki ,  Masayuki Sawataishi ,  Akitaka Shimizu

发明人： Masato Kushibiki ,  Masayuki Sawataishi ,  Akitaka Shimizu

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139

摘要： An etching method of the present invention includes a first and a second process. In the first process, pattern widths of a pre-patterned mask layer are increased by depositing plasma reaction products on sidewalls of the mask layer. In the second process, a layer to be etched is etched by using the mask layer as a mask having increased the pattern widths. Therefore, mask layers having different pattern densities exist in the same wafer and pattern widths of mask layers patterned through a photolithography process are uneven according to pattern densities, each pattern width of the mask layers can be made uniform. Accordingly, the pattern widths of the layer can be made uniform over an entire wafer.

摘要翻译： 本发明的蚀刻方法包括第一和第二工艺。 在第一过程中，通过在掩模层的侧壁上沉积等离子体反应产物来增加预图案化掩模层的图案宽度。 在第二过程中，通过使用掩模层作为具有增加图案宽度的掩模来蚀刻待蚀刻的层。 因此，具有不同图案密度的掩模层存在于相同的晶片中，并且通过光刻工艺图案化的掩模层的图案宽度根据图案密度不均匀，可以使掩模层的每个图案宽度均匀。 因此，可以在整个晶片上使层的图案宽度均匀。